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MOCVD Planet Susceptor für Halbleiter

MOCVD Planet Susceptor für Halbleiter

Semicorex ist ein vertrauenswürdiger Name in der Halbleiterindustrie und bietet hochwertige MOCVD-Planet-Suszeptoren für Halbleiter. Unser Produkt wurde entwickelt, um die spezifischen Anforderungen von Halbleiterherstellern zu erfüllen, die nach einem Träger suchen, der hervorragende Leistung, Stabilität und Haltbarkeit bieten kann. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unser Produkt zu erfahren und wie wir Ihnen bei Ihren Anforderungen in der Halbleiterfertigung helfen können.

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Produktbeschreibung

Unser MOCVD Planet Susceptor für Halbleiter zeichnet sich durch eine Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit aus, die seine Stabilität bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C gewährleistet. Es ist auch hochrein und wird durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen hergestellt, wodurch die Gleichmäßigkeit und Konsistenz des Produkts, ein gleichmäßiges thermisches Profil und ein laminares Gasströmungsmuster gewährleistet werden.
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Parameter des MOCVD-Planetensuszeptors für Halbleiter

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des SiC-beschichteten Graphitsuszeptors für MOCVD

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen
Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen




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