GaN-Epitaxieträger

Der Semicorex GaN Epitaxy Carrier zeichnet sich durch den sicheren Transport von Wafern innerhalb des Ofens aus und ist für Wafer-Epitaxieprozesse konzipiert. Der GaN-Epitaxieträger ist entscheidend für die Herstellung hochwertiger, reproduzierbarer Dünnfilme und Epitaxieschichten, die für die Herstellung fortschrittlicher elektronischer und optoelektronischer Geräte erforderlich sind.

Das Graphitsubstrat des GaN Epitaxy Carrier ist mit einer hochmodernen CVD-Beschichtung (Chemical Vapour Deposition) aus Siliziumkarbid (SiC) versehen. Diese SiC-Schicht wird sorgfältig durch chemische Gasphasenabscheidung aufgebracht und bietet einen robusten Schutz vor chemischen Reaktionen und Verschleiß während des Epitaxieprozesses. Darüber hinaus verbessert die SiC-Beschichtung des GaN-Epitaxie-Trägers die thermischen Eigenschaften des Trägers und ermöglicht so eine effiziente und gleichmäßige Erwärmung der Wafer. Eine solche gleichmäßige Erwärmung ist für die Herstellung gleichmäßiger und qualitativ hochwertiger Epitaxieschichten auf Halbleiterwafern von entscheidender Bedeutung.

Der Semicorex GaN Epitaxy Carrier lässt sich an eine Vielzahl von Halbleiterwafergrößen anpassen und ist eine vielseitige Lösung für unterschiedliche Produktionsanforderungen. Unabhängig davon, ob bestimmte Größen, Formen oder Beschichtungsdicken erforderlich sind, arbeitet unser Team mit Kunden zusammen, um eine Lösung zu entwickeln, die ihren genauen Spezifikationen entspricht und die Leistung für ihre individuellen Anwendungen optimiert.