Epitaxie-Komponente

Semicorex Epitaxy Component ist ein leistungsstarkes SiC-beschichtetes Graphitteil, das speziell für den Einsatz in entwickelt wurdeLPE-ReaktorenEs dient als kritisches Übergangsstück in LPE für den epitaktischen Wachstumsprozess von Siliziumkarbid (SiC). Diese innovative Komponente spielt eine entscheidende Rolle bei der Verbesserung der Effizienz und Qualität des SiC-Kristallwachstums, das für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Leistungselektronik, Hochtemperatursensoren und fortschrittliche Halbleiterbauelemente, unerlässlich ist.

Die Epitaxiekomponente besteht aus hochreinem Graphit und ist mit einer haltbaren Siliziumkarbidschicht beschichtet. Sie kombiniert hervorragende Wärmeleitfähigkeit mit außergewöhnlicher mechanischer Festigkeit. DerSiC-Beschichtungverbessert nicht nur die chemische Beständigkeit des Bauteils, sondern sorgt auch für eine hervorragende thermische Stabilität, wodurch es sich ideal für die anspruchsvollen Bedingungen von LPE-Prozessen eignet. Unser sorgfältiger Herstellungsprozess gewährleistet eine gleichmäßige Beschichtungsdicke und eine gleichbleibende Leistung und ermöglicht eine präzise Kontrolle während des Kristallwachstums.

Die Epitaxiekomponente ist so konstruiert, dass sie eine optimale Fluiddynamik im Reaktor ermöglicht und eine gleichmäßige Verteilung des Wachstumsmaterials gewährleistet. Sein innovatives Design minimiert Turbulenzen und verbessert den Massentransport, was zu einer gleichmäßigeren und fehlerfreien SiC-Schicht führt. Dies ist von entscheidender Bedeutung bei Anwendungen, bei denen die Kristallqualität einen direkten Einfluss auf die Geräteleistung hat.

SiC-Epitaxiewird in der Halbleiterindustrie immer wichtiger, insbesondere für Leistungsgeräte, die bei hohen Spannungen und Temperaturen betrieben werden. Die Epitaxiekomponente ist ein wesentlicher Bestandteil dieses Prozesses und ermöglicht es Herstellern, hochwertige SiC-Wafer herzustellen, die den strengen Anforderungen moderner elektronischer Anwendungen gerecht werden. Mit dem wachsenden Markt für Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energiesysteme und Hochleistungsrechnen steigt die Nachfrage nach zuverlässigen SiC-Substraten weiter.

Die Wirksamkeit der Epitaxiekomponente wurde in verschiedenen LPE-Aufbauten nachgewiesen, wo ihre Leistung erheblich zur Gesamtausbeute und Qualität von SiC-Kristallen beiträgt. Durch die Bereitstellung einer stabilen Übergangsschnittstelle zwischen verschiedenen Materialien im Reaktor erhöht diese Komponente die allgemeine Prozesszuverlässigkeit, reduziert Ausfallzeiten und erhöht den Durchsatz.