Epitaktische einkristalline Si-Platte

Die epitaxiale einkristalline Si-Platte verkörpert den Höhepunkt der Verfeinerung, Haltbarkeit und Zuverlässigkeit für Anwendungen im Zusammenhang mit Graphitepitaxie und Wafermanipulation. Es zeichnet sich durch seine Dichte, Planarität und Wärmemanagementfähigkeiten aus und ist somit die optimale Wahl für anspruchsvolle Betriebsbedingungen. Das Engagement von Semicorex für marktführende Qualität, gepaart mit wettbewerbsfähigen steuerlichen Überlegungen, festigt unser Bestreben, Partnerschaften bei der Erfüllung Ihrer Transportanforderungen für Halbleiterwafer aufzubauen.

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Produktbeschreibung

Ein Hauptmerkmal der epitaktischen einkristallinen Si-Platte ist ihre überlegene Dichte. Durch die Integration eines Graphitsubstrats mit einer Siliziumkarbidbeschichtung entsteht eine umfassende Dichte, die sich gut zum Schutz vor den harten Bedingungen eignet, die in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen auftreten. Darüber hinaus verfügt der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der auf die Synthese von Einkristallen zugeschnitten ist, über ein außergewöhnlich gleichmäßiges Oberflächenprofil – ein entscheidender Faktor für die nachhaltige Produktion von Wafern mit einwandfreier Qualität.

Ebenso wichtig für das Design unseres Produkts ist die Verringerung der Unterschiede in der Wärmeausdehnung zwischen dem Graphitkern und seiner Siliziumkarbid-Ummantelung. Eine solche Innovation steigert die Klebefestigkeit deutlich und vermeidet so das Phänomen der Rissbildung und Schichtung. Gleichzeitig weisen epitaktische einkristalline Si-Platten eine erhöhte Wärmeleitfähigkeit auf, gepaart mit einer lobenswerten Neigung zur gleichmäßigen Wärmeverteilung – Faktoren, die für die Erzielung einer Homogenität der Temperatur während des Produktionszyklus von entscheidender Bedeutung sind.

Darüber hinaus zeigt die epitaktische einkristalline Si-Platte eine lobenswerte Widerstandsfähigkeit gegenüber oxidativem und korrosivem Abbau bei erhöhten Temperaturen, was ihre Langlebigkeit und Zuverlässigkeit untermauert. Sein Schwellenwert für die thermische Beständigkeit wird durch einen signifikanten Schmelzpunkt unterstrichen, wodurch seine Fähigkeit sichergestellt wird, dem anspruchsvollen thermischen Milieu standzuhalten, das einer effizienten Halbleiterfertigung innewohnt