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Epitaktischer Suszeptor aus monokristallinem Silizium
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Epitaktischer Suszeptor aus monokristallinem Silizium

Perfekt für die Graphitepitaxie und den Wafer-Handhabungsprozess, Semicorex ultrareiner monokristalliner Silizium-Epitaxie-Suszeptor gewährleistet minimale Kontamination und bietet eine außergewöhnlich lange Lebensdauer. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele der europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex Epitaxie-Suszeptor aus monokristallinem Silizium ist ein Graphitprodukt, das mit hochreinem SiC beschichtet ist, das eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit aufweist. Der mit CVD-Siliziumkarbid beschichtete Träger wird in Prozessen verwendet, die die Epitaxialschicht auf Halbleiterwafern bilden, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften aufweist.
Unser monokristalliner Silizium-Epitaxie-Suszeptor wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren epitaxialen Suszeptor aus monokristallinem Silizium zu erfahren.


Parameter des epitaxialen Suszeptors aus monokristallinem Silizium

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Bend, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des epitaxialen Suszeptors aus monokristallinem Silizium

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.
- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.
- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.
- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.
- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.




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