Epitaktischer Suszeptor aus monokristallinem Silizium

Der ultrareine monokristalline Silizium-Epitaxie-Suszeptor von Semicorex eignet sich perfekt für die Graphitepitaxie und den Wafer-Handhabungsprozess und sorgt für minimale Kontamination und eine außergewöhnlich lange Lebensdauer. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

Anfrage absenden

Produktbeschreibung

Der monokristalline Silizium-Epitaxie-Suszeptor von Semicorex ist ein Graphitprodukt, das mit hochreinem SiC beschichtet ist und eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit aufweist. Der mit CVD-Siliziumkarbid beschichtete Träger wird in Prozessen zur Bildung der Epitaxieschicht auf Halbleiterwafern verwendet und verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.
Unser epitaktischer Suszeptor aus monokristallinem Silizium ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren epitaktischen Suszeptor aus monokristallinem Silizium zu erfahren.

Parameter des epitaktischen Suszeptors aus monokristallinem Silizium

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des epitaktischen Suszeptors aus monokristallinem Silizium

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.
- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.
- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.
- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.
- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.

Hot-Tags: Epitaktischer Suszeptor aus monokristallinem Silizium, China, Hersteller, Lieferanten, Fabrik, kundenspezifisch, in großen Mengen, fortschrittlich, langlebig