Epitaktischer Suszeptor aus monokristallinem Silizium

Der monokristalline Silizium-Epitaxie-Suszeptor von Semicorex ist ein Graphitprodukt, das mit hochreinem SiC beschichtet ist und eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit aufweist. Der mit CVD-Siliziumkarbid beschichtete Träger wird in Prozessen zur Bildung der Epitaxieschicht auf Halbleiterwafern verwendet und verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.
Unser epitaktischer Suszeptor aus monokristallinem Silizium ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.
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Parameter des epitaktischen Suszeptors aus monokristallinem Silizium

Merkmale des epitaktischen Suszeptors aus monokristallinem Silizium

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.
- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.
- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.
- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.
- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.