Epitaktischer Suszeptor aus monokristallinem Silizium

Semicorex Epitaxie-Suszeptor aus monokristallinem Silizium ist ein Graphitprodukt, das mit hochreinem SiC beschichtet ist, das eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit aufweist. Der mit CVD-Siliziumkarbid beschichtete Träger wird in Prozessen verwendet, die die Epitaxialschicht auf Halbleiterwafern bilden, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften aufweist.
Unser monokristalliner Silizium-Epitaxie-Suszeptor wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren epitaxialen Suszeptor aus monokristallinem Silizium zu erfahren.

Parameter des epitaxialen Suszeptors aus monokristallinem Silizium

Merkmale des epitaxialen Suszeptors aus monokristallinem Silizium

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.
- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.
- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.
- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.
- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.