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Monokristalliner Silizium-Wafer-Suszeptor

Monokristalliner Silizium-Wafer-Suszeptor

Semicorex monokristalliner Silizium-Wafer-Suszeptor ist die ideale Lösung für Graphit-Epitaxie- und Wafer-Handling-Prozesse. Unser ultrareines Produkt gewährleistet minimale Kontamination und eine außergewöhnlich lange Lebensdauer, was es zu einer beliebten Wahl in vielen europäischen und amerikanischen Märkten macht. Als führender Anbieter von Halbleiterwaferträgern in China freuen wir uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden.

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Produktbeschreibung

Unser monokristalliner Silizium-Epitaxie-Suszeptor ist ein mit hochreinem SiC beschichtetes Graphitprodukt, das eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit aufweist. Der mit CVD-Siliziumkarbid beschichtete Träger wird in Prozessen verwendet, die die Epitaxieschicht auf Halbleiterwafern bilden. Es hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften, die für effiziente und präzise Halbleiterherstellungsprozesse unerlässlich sind.
Eines der Hauptmerkmale unseres monokristallinen Silizium-Wafer-Suszeptors ist seine hervorragende Dichte. Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Hochtemperatur- und korrosiven Arbeitsumgebungen spielen. Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit, was für die Aufrechterhaltung einer qualitativ hochwertigen Waferproduktion wesentlich ist.
Ein weiteres wichtiges Merkmal unseres Produkts ist seine Fähigkeit, den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht zu verringern. Dies verbessert effektiv die Haftfestigkeit und verhindert Rissbildung und Delaminierung. Darüber hinaus haben sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften, wodurch sichergestellt wird, dass die Wärme während des Herstellungsprozesses gleichmäßig verteilt wird.
Unser monokristalliner Silizium-Wafer-Suszeptor ist auch beständig gegen Oxidation und Korrosion bei hohen Temperaturen, was ihn zu einem zuverlässigen und langlebigen Produkt macht. Sein hoher Schmelzpunkt stellt sicher, dass es der für eine effiziente Halbleiterfertigung erforderlichen Hochtemperaturumgebung standhalten kann.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der monokristalline Silizium-Wafer-Suszeptor von Semicorex eine ultrareine, langlebige und zuverlässige Lösung für Graphitepitaxie- und Wafer-Handling-Prozesse ist. Seine hervorragende Dichte, Oberflächenebenheit und Wärmeleitfähigkeit machen es ideal für den Einsatz in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen. Wir sind stolz darauf, qualitativ hochwertige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen anbieten zu können, und freuen uns darauf, mit Ihnen für alle Ihre Anforderungen an Halbleiterwaferträger zusammenzuarbeiten.


Parameter des monokristallinen Siliziumwafer-Suszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des monokristallinen Siliziumwafer-Suszeptors

- Vermeiden Sie ein Ablösen und stellen Sie sicher, dass alle Oberflächen beschichtet sind
Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen




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