Monokristalliner Siliziumwafer-Suszeptor

Der monokristalline Silizium-Wafer-Suszeptor von Semicorex ist die ideale Lösung für Graphitepitaxie- und Wafer-Handhabungsprozesse. Unser hochreines Produkt sorgt für minimale Kontamination und eine außergewöhnliche Langlebigkeit, was es zu einer beliebten Wahl in vielen europäischen und amerikanischen Märkten macht. Als führender Anbieter von Halbleiter-Wafer-Trägern in China freuen wir uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden.

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Produktbeschreibung

Unser epitaktischer Suszeptor aus monokristallinem Silizium ist ein Graphitprodukt, das mit hochreinem SiC beschichtet ist und eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit aufweist. Der mit CVD-Siliziumkarbid beschichtete Träger wird in Prozessen verwendet, die die Epitaxieschicht auf Halbleiterwafern bilden. Es verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften, die für effiziente und präzise Halbleiterfertigungsprozesse unerlässlich sind.
Eines der Hauptmerkmale unseres monokristallinen Siliziumwafer-Suszeptors ist seine hervorragende Dichte. Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen. Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für das Einkristallwachstum verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf, die für die Aufrechterhaltung einer qualitativ hochwertigen Waferproduktion unerlässlich ist.
Ein weiteres wichtiges Merkmal unseres Produkts ist seine Fähigkeit, den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht zu verringern. Dadurch wird die Klebefestigkeit effektiv verbessert und Rissbildung und Delaminierung verhindert. Darüber hinaus verfügen sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften, sodass die Wärme während des Herstellungsprozesses gleichmäßig verteilt wird.
Unser monokristalliner Silizium-Wafer-Suszeptor ist außerdem beständig gegen Oxidation und Korrosion bei hohen Temperaturen, was ihn zu einem zuverlässigen und langlebigen Produkt macht. Sein hoher Schmelzpunkt stellt sicher, dass es der Hochtemperaturumgebung standhält, die für eine effiziente Halbleiterfertigung erforderlich ist.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der monokristalline Silizium-Wafer-Suszeptor von Semicorex eine hochreine, langlebige und zuverlässige Lösung für Graphitepitaxie- und Wafer-Handhabungsprozesse ist. Aufgrund seiner hervorragenden Dichte, Oberflächenebenheit und Wärmeleitfähigkeit eignet es sich ideal für den Einsatz in Umgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion. Wir sind stolz darauf, qualitativ hochwertige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten und freuen uns darauf, mit Ihnen bei allen Ihren Anforderungen an Halbleiter-Waferträger zusammenzuarbeiten.

Parameter des monokristallinen Siliziumwafer-Suszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des monokristallinen Siliziumwafer-Suszeptors

- Vermeiden Sie ein Abblättern und stellen Sie sicher, dass die Beschichtung auf der gesamten Oberfläche vorhanden ist
Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: hergestellt durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen