Epi-SiC-Rezeptor

Semicorex Epi-SiC Susceptor vereint Hochtemperaturbeständigkeit, chemische Trägheit und überlegene Wärmediffusion und ist ein Inbegriff für Widerstandsfähigkeit und Effizienz angesichts der intensiven Bedingungen, die mit epitaktischen Wachstumsbemühungen einhergehen. Die Anwendung einer SiC-Beschichtung verbessert die thermischen Eigenschaften des Epi-SiC-Suszeptors erheblich. Diese Verbesserung erleichtert die gleichmäßige Wärmeverteilung, die für die Erwärmung der Wafer unerlässlich ist und für die Abscheidung konsistenter, hochwertiger Epitaxieschichten auf Halbleiterwafern von entscheidender Bedeutung ist.

Der Epi-SiC-Suszeptor ist maßgeschneidert für die anspruchsvollen Anforderungen von Wafer-Epitaxieprozessen und unterstützt den nahtlosen Transport von Wafern innerhalb der Ofenumgebung. Sein robustes Design ist ein Bollwerk gegen Waferverschiebungen oder -kompromisse und verringert so das Auftreten von Schäden in den kritischen Phasen der Epitaxieschichtentwicklung. Darüber hinaus fungiert der Epi-SiC-Suszeptor als Schutzbarriere für das darunter liegende Graphitsubstrat und schützt es vor chemischen Wechselwirkungen und Abrieb, die durch epitaktische Prozesse verursacht werden könnten.

Die Verschmelzung eines widerstandsfähigen Graphitkerns mit einer schützenden SiC-Beschichtung verbessert nicht nur die Leistungsdaten des Epi-SiC-Suszeptors, sondern verlängert auch seine Lebensdauer erheblich. Das Ergebnis ist eine Investition, die sich in Form nachhaltiger Betriebseinsparungen für Halbleiterproduktionsunternehmen auszahlt und den Epi-SiC Susceptor zu einer sinnvollen Wahl für diejenigen macht, die ihre Produktionsabläufe optimieren möchten.