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3C-SiC-Wafersubstrat

3C-SiC-Wafersubstrat

Das Semicorex 3C-SiC-Wafersubstrat besteht aus SiC mit kubischen Kristallen. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Halbleiterwafern. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

3C-SiC (kubisches Siliziumkarbid) Wafersubstrat bezieht sich auf eine bestimmte Art von Siliziumkarbid-Kristallstruktur, die üblicherweise als Substratmaterial im Bereich der Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet wird. Aufgrund seiner überlegenen Materialeigenschaften ist es eine Alternative zu anderen siliziumbasierten Substraten wie Silizium (Si) oder Siliziumgermanium (SiGe).

3C-SiC-Wafersubstrat mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit, die nur von Diamant übertroffen wird. Siliziumkarbid ist für seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, hohe elektrische Durchbruchfeldstärke und große Bandlücke bekannt, wodurch es sich gut für Anwendungen in der Leistungselektronik, Hochtemperaturgeräten und Hochfrequenzgeräten eignet.





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