Tiegel mit TaC-Beschichtung

Der TaC-Beschichtungstiegel von Semicorex hat sich zu einem unverzichtbaren Werkzeug bei der Suche nach hochwertigen Halbleiterkristallen entwickelt und ermöglicht Fortschritte in der Materialwissenschaft und Geräteleistung. Die einzigartige Kombination von Eigenschaften des TaC-Beschichtungstiegels macht ihn ideal für die anspruchsvollen Umgebungen von Kristallwachstumsprozessen geeignet und bietet deutliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Materialien.**

Anfrage absenden

Produktbeschreibung

Hauptvorteile des Semicorex TaC-Beschichtungstiegels bei der Halbleiterkristallzüchtung:

Ultrahohe Reinheit für überragende Kristallqualität:Die Kombination aus hochreinem isostatischem Graphit und einer chemisch inerten TaC-Beschichtung minimiert das Risiko, dass Verunreinigungen in die Schmelze gelangen. Dies ist von entscheidender Bedeutung, um die außergewöhnliche Materialreinheit zu erreichen, die für Hochleistungshalbleiterbauelemente erforderlich ist.

Präzise Temperaturkontrolle für Kristallgleichmäßigkeit:Die gleichmäßigen thermischen Eigenschaften von isostatischem Graphit, die durch die TaC-Beschichtung verbessert werden, ermöglichen eine präzise Temperaturkontrolle in der gesamten Schmelze. Diese Gleichmäßigkeit des TaC-Beschichtungstiegels ist entscheidend für die Kontrolle des Kristallisationsprozesses, die Minimierung von Defekten und die Erzielung homogener elektrischer Eigenschaften im gesamten gewachsenen Kristall.

Längere Tiegellebensdauer für verbesserte Prozessökonomie:Die robuste TaC-Beschichtung bietet eine außergewöhnliche Beständigkeit gegen Verschleiß, Korrosion und Thermoschock und verlängert die Betriebslebensdauer des TaC-Beschichtungstiegels im Vergleich zu unbeschichteten Alternativen erheblich. Dies führt zu weniger Tiegelwechseln, geringeren Ausfallzeiten und einer verbesserten Gesamtwirtschaftlichkeit des Prozesses.

Ermöglichung fortschrittlicher Halbleiteranwendungen:

Der fortschrittliche TaC-Beschichtungstiegel findet zunehmende Akzeptanz bei der Entwicklung von Halbleitermaterialien der nächsten Generation:

Verbindungshalbleiter:Die kontrollierte Umgebung und die chemische Kompatibilität des TaC-Beschichtungstiegels sind für das Wachstum komplexer Verbindungshalbleiter wie Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphid (InP) von entscheidender Bedeutung, die in der Hochfrequenzelektronik, Optoelektronik und anderen anspruchsvollen Anwendungen eingesetzt werden .

Materialien mit hohem Schmelzpunkt:Die außergewöhnliche Temperaturbeständigkeit des TaC-Beschichtungstiegels macht ihn ideal für das Wachstum von Halbleitermaterialien mit hohem Schmelzpunkt, einschließlich Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), die die Leistungselektronik und andere Hochleistungsanwendungen revolutionieren.