China SOI-Wafer Hersteller, Lieferanten, Fabrik

Semicorex kann seinen Kunden ein breites Spektrum an Spezifikationen und hochwertigen SOI-Wafern (Silicon On Insulator – Silizium auf Isolator) für eine Vielzahl von Kundenanwendungen anbieten, darunter MEMS, Leistungsgeräte, Drucksensoren und die Herstellung integrierter CMOS-Schaltkreise. SOI-Wafer bieten eine gute Lösung für Hochgeschwindigkeits- und Low-Power-Geräte und gelten weithin als neue Lösung für Hochspannungs- und HF-Geräte. SOI-Wafer sind eine Sandwich-ähnliche (Sandwich-)Struktur mit drei Schichten; einschließlich der oberen Schicht (Geräteschicht), der mittleren vergrabenen Sauerstoffschicht (zur isolierenden SiO2-Schicht) und dem unteren Substrat (Bulk-Silizium). SOI-Wafer werden mit der SIMOX-Methode und der Wafer-Bonding-Technologie hergestellt, die unter anderem dünnere und präzisere Geräteschichten, eine gleichmäßige Dickengleichmäßigkeit und eine geringe Defektdichte ermöglicht.

Semicorex bietet SOI-Wafer mit Durchmessern von 6 Zoll, 8 Zoll und 12 Zoll, einer großen Auswahl an Widerstandsbereichen von 0,001 bis 100.000 Ohm-cm und einem breiten Spektrum an Geräteschichtdicken von 100 nm (1000 Å) bis 300 µm, um den einzigartigen SOI zu erfüllen Anforderungen vieler Kunden.

Aufgrund der vielfältigen und starken Nachfrage unserer Kunden können wir maßgeschneiderte SOI-Wafer anbieten.