Silikon-Schutzring

Der Semicorex Silicon Shield Ring ist eine wichtige Halbleiterkomponente im Ätzprozess. Seine Hauptfunktion besteht darin, die Elektrode zu umgeben und eine übermäßige Plasmaleckage zu verhindern. Bei einer Materialreinheit von mehr als 9N (99,9999999 %) kann der Abschirmring sowohl aus Einkristall als auch aus Mehrkristall hergestellt werdenSilizium, was einen äußerst sauberen Betrieb und zuverlässige Kompatibilität mit fortschrittlichen Halbleiterfertigungsprozessen gewährleistet.

Eine genaue Plasmasteuerung im CCP/ICP-Ätzprozess ist für eine effektive, gleichmäßige Ätzrate und Waferqualität unerlässlich. Ein unkontrollierter Plasmaaustritt außerhalb des gewünschten Ätzbereichs könnte zu Oberflächenerosion und Kontamination führen oder die Komponenten in der Kammer beschädigen. Der Silizium-Abschirmring ist eine effektive und einfache Lösung für dieses Problem. Er soll eine Schutzbarriere am Außenumfang der Elektrode bilden, die Ausbreitung des Plasmas außerhalb des Zielbereichs verhindern und die Ätzung nur auf den gewünschten Bereich beschränken. Der Silizium-Abschirmring fungiert auch als Außenelektrode, um die Plasmaverteilung zu stabilisieren und eine gleichmäßigere Energie an der Waferoberfläche zu ermöglichen.

Die thermischen und elektrischen Eigenschaften von Silizium unterstützen die Leistung des Etching Shield Ring zusätzlich. Seine Beständigkeit gegenüber hohen Prozesstemperaturen sorgt für strukturelle Integrität bei längerer Plasmaeinwirkung und seine elektrische Leitfähigkeit ermöglicht es der Komponente, ordnungsgemäß als Element im Elektrodensystem zu funktionieren. Zusammen verbessern diese Anwendungen den Plasmaeinschluss und verbessern die Energiegleichmäßigkeit, was wiederholbare Ätzprofile über Wafer hinweg ermöglicht.

Die mechanische Toleranz ist ein weiteres bemerkenswertes Merkmal des Silicon Etching Shield Ring. Durch die Fertigung mit engen Toleranzen wird eine genaue Positionierung rund um die Elektrode sichergestellt und der Abstand und die Geometrie der Kammer beibehalten. Diese mechanische Präzision sorgt für wiederholbare Prozessbedingungen mit geringerer Variabilität zwischen einzelnen Durchgängen und trägt dazu bei, eine Halbleiterproduktion in großen Stückzahlen zu ermöglichen. Das Material selbst weist eine hervorragende Kompatibilität mit Plasmaumgebungen auf; Daher ermöglicht die Erosion seiner Struktur typischerweise eine lange Lebensdauer und Stabilität der Prozessleistung.

Haltbarkeit und Kosteneffizienz sind zwei weitere wertvolle Vorteile. Durch die Abschirmung unnötiger Kammerabschnitte vor dem Plasma reduziert der Abschirmring den Verschleiß anderer kritischer Komponenten, was den Wartungsaufwand verringert und die Gesamtbetriebszeit erhöht. Lange Lebensdauer und seltenerer Austausch machen es zu einer kostengünstigen Lösung für Halbleiterfabriken, um die Produktivität zu steigern und dadurch die Betriebskosten zu senken.

DerSiliziumEine genaue Plasmasteuerung im CCP/ICP-Ätzprozess ist für eine effektive, gleichmäßige Ätzrate und Waferqualität unerlässlich. Ein unkontrollierter Plasmaaustritt außerhalb des gewünschten Ätzbereichs könnte zu Oberflächenerosion und Kontamination führen oder die Komponenten in der Kammer beschädigen. Der Silizium-Abschirmring ist eine effektive und einfache Lösung für dieses Problem. Er soll eine Schutzbarriere am Außenumfang der Elektrode bilden, die Ausbreitung des Plasmas außerhalb des Zielbereichs verhindern und die Ätzung nur auf den gewünschten Bereich beschränken. Der Silizium-Abschirmring fungiert auch als Außenelektrode, um die Plasmaverteilung zu stabilisieren und eine gleichmäßigere Energie an der Waferoberfläche zu ermöglichen.