Silizium-Injektor

Der Semicorex-Siliziuminjektor ist eine hochreine Komponente, die für die präzise Gaszufuhr in Niederdruck-chemischen Gasphasenabscheidungssystemen (LPCVD) für die Polysilizium- und Dünnschichtabscheidung entwickelt wurde. Hergestellt aus 9N (99,9999999 %)hochreines SiliziumDieser feine Rohrinjektor bietet hervorragende Sauberkeit, Kompatibilität mit Chemikalien und thermische Stabilität unter extremen Prozessbedingungen.

Da sich die Halbleiterfertigung immer weiter zu einem höheren Integrationsgrad und einer strengeren Kontaminationskontrolle weiterentwickelt, muss jede Gaszufuhrkomponente in der Beschichtungskammer auch höhere Standards als bisher erfüllen. Der Semicorex-Siliziuminjektor wurde speziell für diese Art von Anforderungen entwickelt – er liefert gasförmige Materialien auf stabile und gleichmäßige Weise durch die Reaktionskammer, ohne dass Verunreinigungen entstehen, die sich negativ auf die Filmqualität oder die Waferausbeute auswirken würden.

Der Injektor wird je nach Prozessanforderungen aus monokristallinem oder polykristallinem Silizium hergestellt und das Material ist so konzipiert, dass es nur wenige metallische, partikuläre und ionische Verunreinigungen enthält. Dies sorgt für Kompatibilität mit ultrareinen LPCVD-Bedingungen, bei denen selbst Spuren von Verunreinigungen zu einem Defekt im Film oder zum Ausfall eines Geräts führen können. Durch die Verwendung von Silizium als Grundmaterial werden auch Materialunterschiede zwischen dem Injektor und den Siliziumkomponenten der Kammer reduziert, was das Risiko der Partikelbildung oder chemischen Reaktionen während des Gebrauchs und des Hochtemperaturbetriebs deutlich verringert.

Die spezielle röhrenförmige Struktur des Siliziuminjektors ermöglicht eine kontrollierte und gleichmäßige Gasverteilung über eine gleichmäßige Waferladung. Die mikrotechnischen Öffnungen und die glatte Innenoberfläche gewährleisten reproduzierbare Durchflussraten zusammen mit einer laminaren Gasdynamik, die für eine gleichmäßige Filmdicke und stabile Abscheidungsraten im Ofen entscheidend ist. Ganz gleich, ob es sich um Silan (SiH₄), Dichlorsilan (SiH₂Cl₂) oder andere reaktive Gase handelt, der Injektor bietet zuverlässige Leistung und Präzision, die für das Wachstum eines Polysiliziumfilms von guter Qualität erforderlich sind.

Aufgrund der hervorragenden thermischen Stabilität kann der Semicorex-Siliziuminjektor Temperaturen von bis zu 1250 °C standhalten und kann während mehrerer Hochtemperatur-LPCVD-Zyklen ohne Angst vor Verformung, Rissbildung oder Verwerfung kontrolliert werden. Darüber hinaus sorgen seine hohe Oxidationsbeständigkeit und chemische Inertheit für lange Laufzeiten in oxidierenden, reduzierenden oder korrosiven Atmosphären, reduzieren gleichzeitig den Wartungsaufwand und sorgen für Prozessstabilität.

Jeder Injektor wird mithilfe modernster CNC-Bearbeitung und -Polierung hergestellt, wodurch Maßtoleranzen im Submikrometerbereich und eine äußerst glatte Oberfläche erreicht werden. Die hochwertige Oberflächenbeschaffenheit minimiert Gasturbulenzen, erzeugt nur sehr wenige bis gar keine Partikel und sorgt gleichzeitig für gleichmäßige Strömungseigenschaften bei unbeständigen Temperatur- und Druckänderungen. Die Präzisionsfertigung gewährleistet streng kontrollierte Prozesse, reproduzierbare und zuverlässige Ergebnisse und damit eine konstante Geräteleistung.

Semicorex stellt maßgeschneiderte Silizium-Injektoren her, die in kundenspezifischen Längen, Durchmessern und Düsenkonfigurationen erhältlich sind. Es können maßgeschneiderte Lösungen entwickelt werden, um die Gasverteilungsmuster für einmalige Reaktorgeometrien oder Abscheidungsrezepte zu verbessern. Jeder Injektor wird auf Reinheit geprüft und verifiziert, um die höchste Halbleiterqualität zu liefernSiliziumkomponenten.

Semicorex Silicon Injector bietet die Präzision und Reinheit, die in der heutigen Halbleiterfertigung erforderlich sind. Der Einsatz von ultrahochreinem 9N-Silizium, eine Bearbeitungsgenauigkeit im Mikrometerbereich sowie eine hohe thermische und chemische Stabilität sorgen für eine gleichmäßige Gasverteilung, eine geringere Partikelerzeugung und eine außergewöhnliche Zuverlässigkeit bei der Abscheidung von LPCVD-Polysilizium.