Gebogene Semicorex-Siliziumelektroden sind die wesentlichen Siliziumkomponenten, die sowohl als obere Elektroden als auch als Ätzgaskanäle in hochpräzisen Halbleiterätzprozessen fungieren. Gebogene Semicorex-Siliziumelektroden sind die idealen Lösungen zur Optimierung des Ätzenergiefelds, die häufig in Ätzgeräten für Advanced Packaging (TSV, WLCSP) und 3D-strukturierte Wafer eingesetzt werden.
Bei der modernen Ätzausrüstung wird die gekrümmte Siliziumelektrode normalerweise oben in der Ätzkammer montiert und zeigt in Richtung des Halbleiterwafers. Die gekrümmte Siliziumelektrode arbeitet typischerweise mit der elektrostatischen Halterung, dem Si-Fokusring, dem Si-Kantenring, dem Si-Absaugring und dem Si-Abschirmring zusammen, um optimale Betriebsbedingungen für hochpräzises Ätzen zu schaffen.
Mit außergewöhnlicher 3D-Steuerungsfähigkeit für elektrische Felder bietet Semicorexgebogene Siliziumelektrodenkann die geometrischen Eigenschaften komplexer Strukturen perfekt anpassen. Das spezielle gekrümmte Design ermöglicht eine präzise Plasmasteuerung und eine optimierte Energieverteilung, was sich erheblich auf das Seitenverhältnis und die Seitenwandvertikalität beim Ätzen von 3D-Strukturen auswirkt und die Produktionslinienanforderungen fortschrittlicher Verpackungsprozesse und 3D-IC-Integration vollständig erfüllt.
Die gebogenen Semicorex-Siliziumelektroden verfügen über mehrere gleichmäßig verteilte Mikrolöcher auf ihrer Oberfläche, durch die Ätzgas in die Ätzkammer gelangen kann. Gebogene Semicorex-Siliziumelektroden ermöglichen eine präzise Kontrolle des Ätzgases und ermöglichen dessen gleichmäßige Verteilung in der Ätzkammer, wodurch Prozessschwankungen durch ungleichmäßige Gasverteilung minimiert werden.
Die gebogenen Siliziumelektroden von Semicorex bestehen aus hochreinem EinkristallSiliziummit einem Reinheitsgrad über 99,9999999 % und bietet eine hervorragende Beständigkeit gegen Plasmaerosion. Diese hochwertige Materialauswahl kann unerwünschte Verunreinigungen durch Ätznebenprodukte wirksam vermeiden und gleichzeitig die Lebensdauer gebogener Siliziumelektroden erheblich verlängern.
Die aus MCZ-gewachsenem einkristallinem Silizium hergestellten gebogenen Semicorex-Siliziumelektroden weisen eine hervorragende Gleichmäßigkeit des spezifischen Widerstands auf: <5 % und einen breiten wählbaren Widerstandsbereich: niedrige Auflösung. (<0,02), mittlere Auflösung. (1–4) und hochauflösend. (70–90).
Durch hochpräzise mechanische Bearbeitung erreichen die gebogenen Semicorex-Siliziumelektroden eine gleichmäßige Porengröße und eine gleichmäßige Lochverteilung. Ihre Oberflächen sind fein poliert und geschliffen: poliert (Ra < 0,1 μm) und geschliffen (Ra < 1,6 μm), wobei die Gesamtbearbeitungsgenauigkeit innerhalb von 0,03 mm liegt.