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RTP Graphit-Trägerplatte

RTP Graphit-Trägerplatte

Die RTP-Graphit-Trägerplatte von Semicorex ist die perfekte Lösung für Halbleiterwafer-Verarbeitungsanwendungen, einschließlich Epitaxiewachstum und Wafer-Handling-Verarbeitung. Unser Produkt ist so konzipiert, dass es eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit bietet und sicherstellt, dass die Epitaxie-Suszeptoren der Abscheidungsumgebung mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit ausgesetzt sind.

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Produktbeschreibung

Unser Produkt zeichnet sich durch hochreinen SiC-beschichteten Graphit aus, der hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften bietet und sicherstellt, dass der SiC-beschichtete Träger eine glatte Oberfläche hat, frei von Rissen und Delaminierung. Unsere RTP-Graphit-Trägerplatte ist fein mit Siliziumkarbid beschichtet, wodurch sichergestellt wird, dass die Oberfläche glatt und frei von jeglichen Defekten ist. Dieses Produkt ist sehr beständig gegen aggressive chemische Reinigung und wurde entwickelt, um sicherzustellen, dass keine Risse und Delamination auftreten.
Wir bieten einen Preisvorteil, den unsere Konkurrenten nicht erreichen können, und wir sind bestrebt, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
Mit unserer RTP-Graphit-Trägerplatte können Sie sich auf hervorragende Leistung, überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit verlassen. Der SiC-beschichtete Träger ist für hohe Temperaturen und eine hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung ausgelegt, was eine lange Lebensdauer gewährleistet. Unser Produkt ist außerdem so konzipiert, dass es einfach zu bedienen ist, was es ideal für neue und erfahrene Benutzer macht.
Bei Semicorex verpflichten wir uns, unseren Kunden qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen anzubieten. Wir verwenden nur die besten Materialien, und unsere Produkte sind so konzipiert, dass sie die höchsten Qualitäts- und Leistungsstandards erfüllen. Unsere RTP-Graphit-Trägerplatte ist da keine Ausnahme. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr darüber zu erfahren, wie wir Ihnen bei der Verarbeitung Ihrer Halbleiterwafer helfen können.


Parameter der RTP-Graphit-Trägerplatte

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale der RTP Graphit-Trägerplatte

Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
Hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass keine Risse und Delaminationen auftreten.





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