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RTP-Graphit-Trägerplatte

RTP-Graphit-Trägerplatte

Die RTP-Graphit-Trägerplatte von Semicorex ist die perfekte Lösung für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen, einschließlich Epitaxiewachstum und Wafer-Handling-Verarbeitung. Unser Produkt ist so konzipiert, dass es eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit bietet und sicherstellt, dass die Epitaxie-Suszeptoren der Abscheidungsumgebung mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit ausgesetzt sind.

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Produktbeschreibung

Unser Produkt besteht aus hochreinem SiC-beschichtetem Graphit, der hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften bietet und sicherstellt, dass der SiC-beschichtete Träger eine glatte Oberfläche ohne Risse und Delaminierung aufweist. Unsere RTP-Graphitträgerplatte ist mit einer feinen Siliziumkarbidbeschichtung versehen, die dafür sorgt, dass die Oberfläche glatt und frei von Fehlern ist. Dieses Produkt ist äußerst widerstandsfähig gegen aggressive chemische Reinigung und soll sicherstellen, dass keine Risse und Delaminationen auftreten.
Wir bieten einen Preisvorteil, den unsere Konkurrenten nicht bieten können, und sind bestrebt, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
Mit unserer RTP-Graphit-Trägerplatte können Sie sich auf hervorragende Leistung, hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit verlassen. Der SiC-beschichtete Träger ist für hohe Temperaturen ausgelegt und weist eine hohe Beständigkeit gegenüber chemischer Reinigung auf, sodass er viele Jahre lang hält. Unser Produkt ist außerdem auf eine einfache Handhabung ausgelegt und eignet sich daher sowohl für neue als auch für erfahrene Benutzer.
Bei Semicorex sind wir bestrebt, unseren Kunden qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen anzubieten. Wir verwenden nur die besten Materialien und unsere Produkte sind so konzipiert, dass sie den höchsten Qualitäts- und Leistungsstandards entsprechen. Unsere RTP-Graphit-Trägerplatte ist keine Ausnahme. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr darüber zu erfahren, wie wir Sie bei der Verarbeitung von Halbleiterwafern unterstützen können.


Parameter der RTP-Graphitträgerplatte

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC-β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickershärte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J kg-1 K-1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegekraft

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)

430

Wärmeausdehnung (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale der RTP-Graphitträgerplatte

Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
Überragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass es nicht zu Rissen und Delaminationen kommt.





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