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SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD

SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD

Die SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte von Semicorex für MOCVD bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit und ist damit die perfekte Lösung für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen. Mit einem hochwertigen SiC-beschichteten Graphit ist dieses Produkt so konstruiert, dass es den härtesten Abscheidungsumgebungen für epitaktisches Wachstum standhält. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hervorragenden Wärmeverteilungseigenschaften gewährleisten eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.

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SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

Die SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte von Semicorex für epitaktisches Wachstum ist die perfekte Lösung für Anwendungen zur Halbleiterwaferverarbeitung. Mit seinen hochwertigen Kohlenstoff-Graphit-Suszeptoren und Quarztiegeln, die durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet werden, ist dieses Produkt ideal für die Wafer-Handhabung und epitaktische Wachstumsverarbeitung. Der mit SiC beschichtete Träger gewährleistet eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und ist somit eine zuverlässige Wahl für RTA-, RTP- oder aggressive chemische Reinigung.

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RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum

RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum

Der Semicorex RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum ist ideal für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen, einschließlich Epitaxiewachstum und Wafer-Handling-Verarbeitung. Kohlenstoffgraphitsuszeptoren und Quarztiegel werden durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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SiC-Platte für den ICP-Ätzprozess

SiC-Platte für den ICP-Ätzprozess

Die SiC-Platte von Semicorex für den ICP-Ätzprozess ist die perfekte Lösung für hohe Temperaturen und raue chemische Verarbeitungsanforderungen bei der Dünnschichtabscheidung und Waferhandhabung. Unser Produkt zeichnet sich durch eine hervorragende Hitzebeständigkeit und gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit aus und gewährleistet eine gleichmäßige Dicke und Beständigkeit der Epi-Schicht. Mit einer sauberen und glatten Oberfläche sorgt unsere hochreine SiC-Kristallbeschichtung für eine optimale Handhabung makelloser Wafer.

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Möchten Sie fortschrittliche und langlebige SiC-Coated-Graphite-Susceptors kaufen? Semicorex ist definitiv Ihre gute Wahl. Wir sind als einer der wettbewerbsfähigsten SiC-Coated-Graphite-Susceptors Hersteller und Lieferanten in China bekannt. Wir bieten auch Sammelverpackungen an. Möglicherweise benötigen Sie einige kundenspezifische Dienstleistungen, um die tatsächlichen Bedürfnisse Ihrer Region zu erfüllen. Sie können uns über die Kontaktinformationen auf der Webseite eine Nachricht hinterlassen. Wir heißen neue und alte Kunden herzlich willkommen, unsere Fabrik zur Beratung und Verhandlung zu besuchen.
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