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Semicorex ist ein renommierter Lieferant und Hersteller von SiC-beschichteten MOCVD-Graphit-Satellitenplattformen. Unser Produkt ist speziell auf die Bedürfnisse der Halbleiterindustrie beim Wachstum der Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip zugeschnitten. Das Produkt wird als Mittelplatte bei MOCVD verwendet, mit zahnrad- oder ringförmiger Gestaltung. Es weist eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit auf und eignet sich daher ideal für den Einsatz in extremen Umgebungen.

Semicorex ist ein führender Hersteller und Lieferant von SiC-beschichteten MOCVD-Suszeptoren. Unser Produkt wurde speziell für die Halbleiterindustrie entwickelt, um die Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip wachsen zu lassen. Der mit hochreinem Siliziumkarbid beschichtete Graphitträger wird beim MOCVD als Mittelplatte in zahnrad- oder ringförmiger Ausführung verwendet. Unser Suszeptor wird häufig in MOCVD-Geräten eingesetzt und gewährleistet eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit sowie große Stabilität in extremen Umgebungen.

Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitsuszeptoren in China. Wir konzentrieren uns auf Halbleiterindustrien wie Siliziumkarbidschichten und Epitaxiehalbleiter. Unser SiC-beschichteter Graphit-Suszeptor für MOCVD hat einen guten Preisvorteil und deckt viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden.

Der Semicorex RTP SiC-Beschichtungsträger bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit und ist damit die perfekte Lösung für Anwendungen bei der Verarbeitung von Halbleiterwafern. Mit seinem hochwertigen SiC-beschichteten Graphit ist dieses Produkt so konzipiert, dass es den härtesten Abscheidungsumgebungen für epitaktisches Wachstum standhält. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hervorragenden Wärmeverteilungseigenschaften gewährleisten eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.

Der Semicorex RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger ist so konstruiert, dass er den härtesten Bedingungen der Abscheidungsumgebung standhält. Mit seiner hohen Hitze- und Korrosionsbeständigkeit ist dieses Produkt darauf ausgelegt, eine optimale Leistung für das epitaktische Wachstum zu bieten. Der mit SiC beschichtete Träger verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und gewährleistet so eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.

Die SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte von Semicorex für MOCVD bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit und ist damit die perfekte Lösung für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen. Mit einem hochwertigen SiC-beschichteten Graphit ist dieses Produkt so konstruiert, dass es den härtesten Abscheidungsumgebungen für epitaktisches Wachstum standhält. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hervorragenden Wärmeverteilungseigenschaften gewährleisten eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.