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RTP -SIC -Beschichtungsplatten

RTP -SIC -Beschichtungsplatten

Semicorex RTP-SIC-Beschichtungsplatten sind Hochleistungs-Wafer-Träger, die für die anspruchsvolle Umgebungen für schnelle thermische Verarbeitungen entwickelt wurden. Semicorex vertraut durch die führenden Halbleiterhersteller und liefert eine überlegene thermische Stabilität, Haltbarkeit und Kontaminationskontrolle, die durch strenge Qualitätsstandards und Präzisionsherstellung unterstützt wird.**
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RTP-Ring

RTP-Ring

Der Semicorex RTP-Ring ist ein SiC-beschichteter Graphitring, der für Hochleistungsanwendungen in RTP-Systemen (Rapid Thermal Processing) entwickelt wurde. Wählen Sie Semicorex aufgrund unserer fortschrittlichen Materialtechnologie, die eine überragende Haltbarkeit, Präzision und Zuverlässigkeit bei der Halbleiterfertigung gewährleistet.*
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RTP-Graphit-Trägerplatte

RTP-Graphit-Trägerplatte

Die RTP-Graphit-Trägerplatte von Semicorex ist die perfekte Lösung für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen, einschließlich Epitaxiewachstum und Wafer-Handling-Verarbeitung. Unser Produkt ist so konzipiert, dass es eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit bietet und sicherstellt, dass die Epitaxie-Suszeptoren der Abscheidungsumgebung mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit ausgesetzt sind.
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RTP-SiC-Beschichtungsträger

RTP-SiC-Beschichtungsträger

Der Semicorex RTP SiC-Beschichtungsträger bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit und ist damit die perfekte Lösung für Anwendungen bei der Verarbeitung von Halbleiterwafern. Mit seinem hochwertigen SiC-beschichteten Graphit ist dieses Produkt so konzipiert, dass es den härtesten Abscheidungsumgebungen für epitaktisches Wachstum standhält. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hervorragenden Wärmeverteilungseigenschaften gewährleisten eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.
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RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger

RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger

Der Semicorex RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger ist so konstruiert, dass er den härtesten Bedingungen der Abscheidungsumgebung standhält. Mit seiner hohen Hitze- und Korrosionsbeständigkeit ist dieses Produkt darauf ausgelegt, eine optimale Leistung für das epitaktische Wachstum zu bieten. Der mit SiC beschichtete Träger verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und gewährleistet so eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.
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SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD

SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD

Die SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte von Semicorex für MOCVD bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit und ist damit die perfekte Lösung für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen. Mit einem hochwertigen SiC-beschichteten Graphit ist dieses Produkt so konstruiert, dass es den härtesten Abscheidungsumgebungen für epitaktisches Wachstum standhält. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hervorragenden Wärmeverteilungseigenschaften gewährleisten eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.
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