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Endeffektor aus Aluminiumoxid

Der Semicorex Alumina End Effector hat sich zu einem unverzichtbaren Werkzeug im anspruchsvollen Bereich der Halbleiterfertigung entwickelt, wo selbst mikroskopische Unvollkommenheiten die Geräteleistung beeinträchtigen können. Die Rolle der präzisen Waferhandhabung kann nicht genug betont werden. Der Aluminiumoxid-Endeffektor bietet eine einzigartige Kombination aus Präzision, Reinheit und Haltbarkeit, die für die Handhabung empfindlicher Siliziumwafer in verschiedenen Herstellungsprozessen unerlässlich ist.**

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Kundenspezifisches SiC-Cantilever-Paddel

Das kundenspezifische SiC-Cantilever-Paddel von Semicorex ist zu einer unverzichtbaren Komponente in der Photovoltaikindustrie geworden und spielt eine entscheidende Rolle bei der effizienten und präzisen Handhabung von Siliziumwafern während Hochtemperatur-Diffusionsprozessen. Das kundenspezifische SiC-Cantilever-Paddel, das sorgfältig aus Hochleistungskeramik aus Siliziumkarbid (SiC) gefertigt wurde, bietet eine einzigartige Mischung von Eigenschaften, die für die Aufrechterhaltung der Waferintegrität, die Gewährleistung der Prozesseinheitlichkeit und die Maximierung der Produktivität in anspruchsvollen Diffusionsofenumgebungen unerlässlich sind.**

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Tiegel mit TaC-Beschichtung

Der TaC-Beschichtungstiegel von Semicorex hat sich zu einem unverzichtbaren Werkzeug bei der Suche nach hochwertigen Halbleiterkristallen entwickelt und ermöglicht Fortschritte in der Materialwissenschaft und Geräteleistung. Die einzigartige Kombination von Eigenschaften des TaC-Beschichtungstiegels macht ihn ideal für die anspruchsvollen Umgebungen von Kristallwachstumsprozessen geeignet und bietet deutliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Materialien.**

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TaC-beschichtetes Rohr

Semicorex TaC-beschichtete Rohre stellen einen Höhepunkt der Materialwissenschaft dar und wurden entwickelt, um den extremen Bedingungen standzuhalten, die in der modernen Halbleiterfertigung auftreten. Das TaC-beschichtete Rohr entsteht durch Auftragen einer dichten, gleichmäßigen TaC-Schicht auf ein hochreines isotropes Graphitsubstrat mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) und bietet eine überzeugende Kombination von Eigenschaften, die herkömmliche Materialien in anspruchsvollen Hochtemperatur- und chemisch aggressiven Umgebungen übertreffen. **

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Horizontales SiC-Wafer-Boot

Das horizontale SiC-Waferboot von Semicorex hat sich zu einem unverzichtbaren Werkzeug bei der Herstellung von Hochleistungshalbleiter- und Photovoltaikgeräten entwickelt. Diese speziellen Träger, die sorgfältig aus hochreinem Siliziumkarbid (SiC) hergestellt werden, bieten außergewöhnliche thermische, chemische und mechanische Eigenschaften, die für die anspruchsvollen Prozesse bei der Herstellung modernster elektronischer Komponenten unerlässlich sind.**

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SiC Multi-Pocket-Empfänger

Semicorex SiC Multi Pocket Susceptor stellt eine entscheidende Basistechnologie für das epitaktische Wachstum hochwertiger Halbleiterwafer dar. Diese Suszeptoren werden durch einen hochentwickelten CVD-Prozess (Chemical Vapour Deposition) hergestellt und bieten eine robuste und leistungsstarke Plattform zur Erzielung einer außergewöhnlichen Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht und Prozesseffizienz.**

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