Führungsringe mit TaC-Beschichtung sind Graphitringe mit einer Tantalkarbidbeschichtung, die für den Einsatz in Siliziumkarbid-Kristallwachstumsöfen zur Verbesserung der Kristallqualität entwickelt wurden. Wählen Sie Semicorex aufgrund seiner fortschrittlichen Beschichtungstechnologie, die eine überragende Haltbarkeit, thermische Stabilität und optimierte Kristallwachstumsleistung gewährleistet.*
WeiterlesenAnfrage absendenDer Tantalcarbid-Führungsring von Semicorex ist ein mit Tantalcarbid beschichteter Graphitring, der in Siliziumkarbid-Kristallwachstumsöfen zur Unterstützung von Impfkristallen, zur Temperaturoptimierung und zur Verbesserung der Wachstumsstabilität verwendet wird. Wählen Sie Semicorex aufgrund seiner fortschrittlichen Materialien und seines Designs, die die Effizienz und Qualität des Kristallwachstums erheblich verbessern.*
WeiterlesenAnfrage absendenDer Semicorex-Tantalkarbidring ist ein mit Tantalkarbid beschichteter Graphitring, der als Führungsring in Siliziumkarbid-Kristallwachstumsöfen verwendet wird, um eine präzise Temperatur- und Gasflusskontrolle zu gewährleisten. Wählen Sie Semicorex aufgrund seiner fortschrittlichen Beschichtungstechnologie und hochwertigen Materialien und liefern Sie langlebige und zuverlässige Komponenten, die die Effizienz des Kristallwachstums und die Produktlebensdauer verbessern.*
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex-SiC-O-Ringe werden in einer Reihe von Branchen aufgrund ihrer außergewöhnlichen Dichtungsfähigkeiten und Materialeigenschaften hoch geschätzt. Der Einsatz erstreckt sich über Anwendungen, bei denen extreme Bedingungen wie hohe Temperaturen, aggressive Chemikalien, mechanische Beanspruchung und strenge Sauberkeit an der Tagesordnung sind.**
WeiterlesenAnfrage absendenDas Wafer-Tablett mit TaC-Beschichtung von Semicorex muss so konstruiert sein, dass es den Herausforderungen standhält die extremen Bedingungen in der Reaktionskammer, einschließlich hoher Temperaturen und chemisch reaktiver Umgebungen.**
WeiterlesenAnfrage absendenDie Semicorex LPE-Halbmond-Reaktionskammer ist für den effizienten und zuverlässigen Betrieb der SiC-Epitaxie unverzichtbar. Sie gewährleistet die Produktion hochwertiger Epitaxieschichten und reduziert gleichzeitig die Wartungskosten und steigert die Betriebseffizienz. **
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