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Ga2O3-Substrat

Erschließen Sie das Potenzial modernster Halbleiteranwendungen mit unserem Ga2O3-Substrat, einem revolutionären Material an der Spitze der Halbleiterinnovation. Ga2O3, ein Halbleiter mit großer Bandlücke der vierten Generation, weist beispiellose Eigenschaften auf, die die Leistung und Zuverlässigkeit von Leistungsgeräten neu definieren.

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Ring-Set

Schöpfen Sie das volle Potenzial Ihrer Halbleiter-Epitaxieprozesse mit dem Semicorex Ring Set aus – einer entscheidenden Komponente aus SiC-beschichtetem Graphit. Dieses kleine, aber leistungsstarke Zubehör wurde entwickelt, um die Effizienz und Zuverlässigkeit Ihres Epitaxiewachstums zu steigern. Es spielt eine Schlüsselrolle bei der Gewährleistung optimaler Leistung in Halbleiterfertigungsumgebungen.

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Epi-Vorheizring

Verbessern Sie die Effizienz und Präzision Ihrer Halbleiter-Epitaxieprozesse mit dem hochmodernen Epi Pre Heat Ring von Semicorex. Dieser mit Präzision aus SiC-beschichtetem Graphit gefertigte fortschrittliche Ring spielt eine entscheidende Rolle bei der Optimierung Ihres epitaktischen Wachstums, indem er Prozessgase vorheizt, bevor sie in die Kammer gelangen.

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SiC Parts Abdeck Segmenten

Semicorex SiC Parts Abdecksegmente, eine entscheidende Komponente bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, die Präzision und Haltbarkeit neu definiert. Diese kleinen, aber wichtigen Teile bestehen aus SiC-beschichtetem Graphit und spielen eine entscheidende Rolle dabei, die Halbleiterverarbeitung auf ein neues Niveau an Effizienz und Zuverlässigkeit zu bringen.

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Planetenscheibe

Semicorex Planetary Disk, ein mit Siliziumkarbid beschichteter Graphitwafer-Suszeptor oder -Träger, der für Molekularstrahlepitaxie-Prozesse (MBE) in MOCVD-Öfen (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) entwickelt wurde. Semicorex ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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TaC-beschichteter Führungsring

Semicorex TaC-beschichteter Führungsring, ein Höhepunkt der Innovation bei SiC (Siliziumkarbid)-Einkristall-Züchtungsöfen. Dieser Führungsring wurde sorgfältig entwickelt, um den hohen Anforderungen der Halbleiterindustrie gerecht zu werden, und verspricht, Ihre Kristallwachstumsprozesse mit beispielloser Präzision und Zuverlässigkeit neu zu definieren.

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