Poly-Si-Außenringe zum Ätzen

Typischerweise um die herum positioniertDuschkopfDer Poly-Si-Außenring dient als Verbindungsteil zwischen dem Abluftring und dem Duschkopf. Es arbeitet kooperativ mit demelektrostatisches Spannfutter, dem Si-Duschkopf, dem Si-Fokusring, dem Si-Abluftring und dem Si-Abschirmring, wodurch eine stabile und zuverlässige Prozessumgebung für hochpräzise Ätzvorgänge geschaffen wird.

Vorteile von Semicorex Poly-Si-Außenringen zum Ätzen

Semicorex Poly-Si-Außenringe zum Ätzen werden präzise aus hochwertigem Polysilizium gefertigt und bieten die folgenden hervorragenden Eigenschaften.

1. Hohe Sauberkeit und geringer Partikelgehalt

2. Hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit und hohe Temperaturwechselbeständigkeit

3.Zuverlässige Korrosionsbeständigkeit

4. Außergewöhnliche elektrische Leistung und hohe Gleichmäßigkeit der elektrischen Leitfähigkeit

Funktionen der Semicorex-Poly-Si-Außenringe zum Ätzen

1. Stabile Erdungsleistung

Die Semicorex-Poly-Si-Außenringe zum Ätzen werden zur Elektrodenerdung und zum Schutz eingesetzt und sind in der Lage, statische Ansammlungen sowie Lichtbogenschäden zu vermeiden und einen stabilen Betrieb des Elektrodensystems zu gewährleisten, wodurch die Prozessanforderungen für die fortschrittliche 3D-NAND-Fertigung perfekt erfüllt werden.

2. Zuverlässiger Support

Semicorex Poly-Si-Außenringe zum Ätzen dienen als wesentliche Komponenten, die den Auspuffring und den Duschkopf verbinden. Sie bieten beiden Teilen zuverlässigen mechanischen Halt und halten sie stabil an der richtigen Stelle. Darüber hinaus kann durch die Verwendung von Semicorex-Poly-Si-Außenringen zum Ätzen eine Plasmaerosion an der Ätzkammer verhindert werden, wodurch die stabile Durchführung des Ätzvorgangs wirksam gewährleistet wird.

3. Kompatibilität mit dem Ätzverfahren

Semicorex-Poly-Si-Außenringe zum Ätzen zeichnen sich durch einen geringen Gehalt an Verunreinigungen und eine außergewöhnliche Korrosionsbeständigkeit aus und bieten eine hervorragende Kompatibilität mit der Herstellung von Siliziumwafern, wodurch Waferdefekte durch Verunreinigungen durch geätzte Nebenprodukte erheblich reduziert werden und eine hohe Ausbeute bei der Halbleiterproduktion deutlich gewährleistet wird.