Planares Target aus monokristallinem Silizium

Monokristallines SiliziumPlanare Targets werden in der Regel mit hochpräzisen Schneidgeräten aus monokristallinen Siliziumbarren bearbeitet, die nach der Czochralski-Methode hergestellt werden. Um den vielfältigen Kundenbedürfnissen gerecht zu werden, können planare Targets aus monokristallinem Silizium für Ihre geschätzten Kunden in die gewünschte Form geschnitten werden. Die präzise Schleif- und Polierverarbeitungstechnologie sorgt für eine hervorragende Oberflächenebenheit des Zielmaterials und bietet eine starke Garantie für die Abscheidung dünner Filme.

Das planare Target aus monokristallinem Silizium wird zusammen mit dem zu beschichtenden Substrat während des Filmabscheidungsprozesses in einer Vakuumreaktionskammer platziert. Wenn das planare Target aus monokristallinem Silizium mit hochenergetischen Ionen beschossen wird, werden Siliziumatome auf seiner Oberfläche abgesputtert. Diese gesputterten Siliziumatome wandern dann und lagern sich auf der Oberfläche des Substrats ab, wo sie schließlich einen dünnen Siliziumfilm bilden.

Als Materialquelle für die Dünnschichtabscheidung dient ein monokristallines planares Silizium-Target. Alle auf der Waferoberfläche abgeschiedenen Siliziumatome stammen von planaren monokristallinen Siliziumzielen. Daher bestimmt die Qualität des monokristallinen planaren Siliziumtargets direkt die Reinheit, Gleichmäßigkeit und andere Schlüsseleigenschaften des abgeschiedenen Dünnfilms.

Die hervorragende Reinheitseigenschaft verleiht dem planaren Target aus monokristallinem Silizium die Fähigkeit, zu verhindern, dass Verunreinigungen den Dünnfilm verunreinigen. Dadurch wird die elektrische Leistung von Halbleiterbauelementen deutlich verbessert. Die Verbesserung der Gleichmäßigkeit und Haftung der dünnen Filme wird durch die hochgeordnete Kristallstruktur erreicht, die es den Sputterpartikeln ermöglicht, regelmäßiger zu wandern und sich auf der Waferoberfläche abzulagern. Das planare Strukturdesign eignet sich für großflächige und schnelle Sputteranforderungen und ist auf groß angelegte Produktionsszenarien wie Halbleiterwafer und Anzeigetafeln anwendbar.