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Ga2O3-Substrat
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Ga2O3-Substrat

Erschließen Sie das Potenzial modernster Halbleiteranwendungen mit unserem Ga2O3-Substrat, einem revolutionären Material an der Spitze der Halbleiterinnovation. Ga2O3, ein Halbleiter mit großer Bandlücke der vierten Generation, weist beispiellose Eigenschaften auf, die die Leistung und Zuverlässigkeit von Leistungsgeräten neu definieren.

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Produktbeschreibung

Ga2O3 zeichnet sich als Halbleiter mit großer Bandlücke aus, der Stabilität und Widerstandsfähigkeit unter extremen Bedingungen gewährleistet und sich daher ideal für Umgebungen mit hohen Temperaturen und hoher Strahlung eignet.

Mit einer hohen Durchschlagsfeldstärke und außergewöhnlichen Baliga-Werten zeichnet sich Ga2O3 in Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen aus und bietet unübertroffene Zuverlässigkeit und geringe Leistungsverluste.

Ga2O3 übertrifft herkömmliche Materialien mit seiner überlegenen Leistungsleistung. Die Baliga-Werte für Ga2O3 sind viermal so hoch wie die von GaN und zehnmal so hoch wie die von SiC, was sich in hervorragenden Leitungseigenschaften und Leistungseffizienz niederschlägt. Ga2O3-Geräte weisen einen Leistungsverlust von nur einem Siebtel im Vergleich zu SiC-Geräten und beeindruckenden 1/49tel von Silizium-basierten Geräten auf.

Die im Vergleich zu SiC geringere Härte von Ga2O3 vereinfacht den Herstellungsprozess und führt zu geringeren Verarbeitungskosten. Dieser Vorteil macht Ga2O3 zu einer kostengünstigen Alternative für verschiedene Anwendungen.

Ga2O3 wird mit einem Flüssigphasen-Schmelzverfahren gezüchtet und zeichnet sich durch eine hervorragende Kristallqualität mit einer bemerkenswert geringen Defektdichte aus und übertrifft damit SiC, das mit einem Dampfphasenverfahren gezüchtet wird.

Ga2O3 weist eine 100-mal schnellere Wachstumsrate als SiC auf, was zu einer höheren Produktionseffizienz und damit zu geringeren Herstellungskosten beiträgt.


Anwendungen:

Leistungsgeräte: Das Ga2O3-Substrat ist bereit, Leistungsgeräte zu revolutionieren und bietet vier große Chancen:

Unipolare Geräte ersetzen bipolare Geräte: MOSFETs ersetzen IGBTs in Anwendungen wie Fahrzeugen mit neuer Energie, Ladestationen, Hochspannungsnetzteilen, industrieller Leistungssteuerung und mehr.

Verbesserte Energieeffizienz: Leistungsgeräte mit Ga2O3-Substrat sind energieeffizient und stehen im Einklang mit Strategien zur CO2-Neutralität und zur Reduzierung der Spitzen-CO2-Emissionen.

Produktion im großen Maßstab: Durch die vereinfachte Verarbeitung und die kostengünstige Chipherstellung erleichtert das Ga2O3-Substrat die Produktion im großen Maßstab.

Hohe Zuverlässigkeit: Das Ga2O3-Substrat mit stabilen Materialeigenschaften und zuverlässiger Struktur eignet sich für hochzuverlässige Anwendungen und gewährleistet Langlebigkeit und konstante Leistung.


HF-Geräte: Das Ga2O3-Substrat verändert den Markt für HF-Geräte (Radiofrequenz). Zu seinen Vorteilen gehören:

Kristallqualität: Das Ga2O3-Substrat ermöglicht ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum und überwindet Probleme mit der Gitterfehlanpassung, die bei anderen Substraten auftreten.

Kostengünstiges Wachstum: Das kostengünstige Wachstum von Ga2O3 auf großen Substraten, insbesondere auf 6-Zoll-Wafern, macht es zu einer wettbewerbsfähigen Option für HF-Anwendungen.

Potenzial in GaN-HF-Geräten: Die minimale Gitterfehlanpassung mit GaN macht Ga2O3 zu einem idealen Substrat für leistungsstarke GaN-HF-Geräte.

Erobern Sie die Zukunft der Halbleitertechnologie mit Ga2O3-Substrat, wo bahnbrechende Eigenschaften auf grenzenlose Möglichkeiten treffen. Revolutionieren Sie Ihre Energie- und HF-Anwendungen mit einem Material, das auf Exzellenz und Effizienz ausgelegt ist.



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