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Ga2O3-Epitaxie
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Ga2O3-Epitaxie

Betreten Sie eine neue Ära der Halbleiter-Exzellenz mit Semicorex Ga2O3 Epitaxy, einer bahnbrechenden Lösung, die die Grenzen von Leistung und Effizienz neu definiert. Die mit Präzision und Innovation entwickelte Ga2O3-Epitaxie bietet eine Plattform für Geräte der nächsten Generation und verspricht unübertroffene Leistung für verschiedene Anwendungen.

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Produktbeschreibung

Die Ga2O3-Epitaxie, abgeleitet vom Wide-Bandgap-Halbleiter der vierten Generation, führt ein neues Maß an Leistungsstabilität und Zuverlässigkeit in extremen Umgebungen ein. Aufgrund seiner großen Bandlücke ist es das Material der Wahl für Hochtemperatur- und Strahlungsanwendungen.

Hohe Durchbruchsfeldstärke: Profitieren Sie von der außergewöhnlichen Durchbruchsfeldstärke und den erhöhten Baliga-Werten von Ga2O3, die es zu einem konkurrenzlosen Material für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen machen. Die Ga2O3-Epitaxie sorgt für erhöhte Zuverlässigkeit und minimale Leistungsverluste.

Die Ga2O3-Epitaxie zeichnet sich durch eine überragende Energieeffizienz aus. Mit Baliga-Werten, die viermal höher sind als die von GaN und zehnmal höher als die von SiC, weist es hervorragende Leitfähigkeitseigenschaften auf. Ga2O3-Epitaxiegeräte weisen lediglich einen Leistungsverlust von 1/7 von SiC und beeindruckenden 1/49 von siliziumbasierten Geräten auf.

Die geringere Härte der Ga2O3-Epitaxie vereinfacht den Herstellungsprozess und führt zu geringeren Verarbeitungskosten. Dieser Vorteil macht die Ga2O3-Epitaxie zu einer kostengünstigen und skalierbaren Lösung für eine Reihe von Anwendungen.




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