4" Galliumoxid-Substrate

Die 4-Zoll-Galliumoxidsubstrate von Semicorex weisen eine hervorragende chemische und thermische Stabilität auf und stellen so sicher, dass ihre Leistung auch unter extremen Bedingungen konstant und zuverlässig bleibt. Diese Robustheit ist bei Anwendungen mit hohen Temperaturen und reaktiven Umgebungen von entscheidender Bedeutung. Darüber hinaus behalten die 4-Zoll-Galliumoxidsubstrate eine hervorragende optische Transparenz bei über einen breiten Wellenlängenbereich von Ultraviolett bis Infrarot, was es für optoelektronische Anwendungen einschließlich Leuchtdioden und Laserdioden attraktiv macht.

Mit einer Bandlücke im Bereich von 4,7 bis 4,9 eV übertreffen die 4-Zoll-Galliumoxidsubstrate Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) bei kritischen elektrischen Feldstärken deutlich und erreichen bis zu 8 MV/cm im Vergleich zu 2,5 MV/cm bei SiC 3,3 MV/cm von GaN, kombiniert mit einer Elektronenmobilität von 250 cm²/Vs und einer verbesserten Transparenz beim Leiten von Elektrizität, verschaffen den 4-Zoll-Galliumoxidsubstraten einen erheblichen Vorteil in der Leistungselektronik. Der Gütewert seines Baliga liegt bei über 3000 und ist damit um ein Vielfaches höher als der von GaN und SiC, was auf eine überlegene Effizienz bei Energieanwendungen hinweist.

Semicorex 4"-Galliumoxidsubstrate sind besonders vorteilhaft für den Einsatz in den Bereichen Kommunikation, Radar, Luft- und Raumfahrt, Hochgeschwindigkeitszüge und neue Energiefahrzeuge. Sie eignen sich hervorragend für Strahlungsdetektionssensoren in diesen Sektoren, insbesondere in Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen. und Hochfrequenzgeräte, bei denen Ga2O3 erhebliche Vorteile gegenüber SiC und GaN aufweist.