CVD-SiC-Duschköpfe

Semicorex CVD SiC-Duschköpfe werden zum CCP-Ätzen verwendet. CCP-Ätzgeräte verwenden zwei parallele Elektroden (eine geerdet, die andere mit einer HF-Stromquelle verbunden), um Plasma zu erzeugen. Das Plasma wird zwischen den beiden Elektroden durch das elektrische Feld zwischen ihnen aufrechterhalten. Die Elektroden und die Gasverteilerplatte sind in einem einzigen Bauteil integriert. Durch kleine Löcher in den CVD-SiC-Duschköpfen wird Ätzgas gleichmäßig auf die Waferoberfläche gesprüht. Gleichzeitig wird eine HF-Spannung an den Duschkopf (auch die obere Elektrode) angelegt. Diese Spannung erzeugt ein elektrisches Feld zwischen der oberen und der unteren Elektrode und regt das Gas zur Bildung eines Plasmas an. Dieses Design führt zu einer einfacheren und kompakteren Struktur und sorgt gleichzeitig für eine gleichmäßige Verteilung der Gasmoleküle und ein gleichmäßiges elektrisches Feld, was ein gleichmäßiges Ätzen selbst großer Wafer ermöglicht.

CVD-SiC-Duschköpfe können auch beim ICP-Ätzen eingesetzt werden. ICP-Ätzgeräte verwenden eine Induktionsspule (typischerweise ein Magnetventil), um ein HF-Magnetfeld zu erzeugen, das Strom und Plasma induziert. Die CVD-SiC-Duschköpfe sind als separates Bauteil für die gleichmäßige Abgabe des Ätzgases in den Plasmabereich verantwortlich.

Der CVD-SiC-Duschkopf ist eine hochreine und präzisionsgefertigte Komponente für Halbleiterverarbeitungsgeräte, die für die Gasverteilung und Elektrodenfähigkeit von grundlegender Bedeutung ist. Durch die Herstellung mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) erreicht der Duschkopf eine Ausnahme

höchste Materialreinheit und hervorragende Dimensionskontrolle, die den strengen Anforderungen der zukünftigen Halbleiterfertigung gerecht werden.