Aluminiumnitridsubstrate

Definitionen von semicorex-Aluminiumnitrid-Substraten deuten auf Aluminium-Nitrid-Vorlagen auf Siliziumbasis hin. Während sich die Ära von 5G entfaltet, gewinnen Hochfrequenzanwendungen schnell an Dynamik. Die Expansion und Entwicklung von 5G -Netzwerken drücken die Anforderungen an mehr und mehr Frequenzbänder zusammen mit höheren Betriebsfrequenzen. Die Welle hat von ihrer Seite proportional an den Anforderungen an die Menge und Qualität von HF -Filtern erhöht. Um die Hochleistungs-HF-Filterherstellungsindustrie zu ermöglichen, ist eine wesentliche Voraussetzung für piezoelektrische Substratmaterialien, die sich als hohe Qualität erwiesen haben.

Ultra-weite Bandgap-Halbleiter-Aluminium-Nitrid-Substrate ist aufgrund vieler ausstehender Eigenschaften ein Material des immensen Anwendungspotentials als potenzielles Material für die fortschrittliche Verwendung in Elektronik und Optoelektronik. Die Bandlücke von bis zu 6,2 eV zeigt den Festigkeitsbedarf für hohe Feldabbau, Hochsättigungselektronen -Driftgeschwindigkeit, chemische und thermische Stabilität. sowie überlegene thermische Leitfähigkeit und Strahlungsbeständigkeit. Diese Eigenschaften machen Aln zu einem unverzichtbaren Material in elektronischen Hochleistungsgeräten, insbesondere in 5G-Kommunikationstechnologien.

Im Vergleich zu herkömmlichen piezoelektrischen Materialien wie Zinkoxid (ZnO), Bleizirkonat -Titanat (PZT) und Lithium -Tantalat/Lithium -Niobat (LT/LN) zeigen Aluminium -Nitrid -Substrate außergewöhnliche Eigenschaften, die sie für 5G -RF -Filter gut geeignet sind. Diese Eigenschaften umfassen einen hohen elektrischen Widerstand, eine hervorragende thermische Leitfähigkeit, überlegene Stabilität und eine ultraschnelle Akustikwellenausbreitungsgeschwindigkeit. Insbesondere erreicht die Längswellengeschwindigkeit von ALN ​​ungefähr 11.000 m/s, während die Querwellengeschwindigkeit etwa 6.000 m/s beträgt. Diese Eigenschaften positionieren Aln als eines der idealsten piezoelektrischen Materialien für Hochleistungsoberflächen-Akustikwellen (SAW), Bulk Acoustic Wave (BAW) und Film Bulk Acoustic Resonator (FBAR) RF-Filter.

Die Aluminiumnitrid-Substrate sind hauptsächlich für den piezoelektrischen Materialmarkt in 5G-HF-Front-End-Filtern ausgelegt. Die Qualität und die wichtigsten Parameter dieses Produkts wurden durch maßgebliche Einrichtungen von Drittanbietern und Verarbeitungsbewertungen auf Wafelebene streng getestet und verifiziert. Diese Bewertungen haben bestätigt, dass das Produkt die internationalen Standards erfüllt und sogar übertrifft. Darüber hinaus wurde bereits die Technologie für eine groß angelegte Herstellung festgestellt, um eine stabile Massenproduktion und das Angebot für die Erfüllung der Marktanforderungen zu gewährleisten.

Die Bereitstellung von 5G -Netzwerken erfordert die Verwendung hocheffizienter und zuverlässiger HF -Filter, um die zunehmende Anzahl von Frequenzbändern zu verarbeiten. ALN-Substrate spielen eine entscheidende Rolle bei der Herstellung von Säge-, BAW- und FBAR-Filtern, bei denen es sich um wesentliche Komponenten in HF-Front-End-Modulen handelt. Diese Filter ermöglichen eine präzise Frequenzauswahl, Signalverstärkung und Interferenzreduzierung, um eine reibungslose und Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung in 5G-Kommunikationsgeräten wie Smartphones, Basisstationen und IoT-Anwendungen sicherzustellen.

Darüber hinaus sind Aluminiumnitrid -Substrate nicht allein auf HF -Filter beschränkt. Sie haben auch vielversprechende Anwendungen in der Stromversorgung, in der Leistungselektronik, in Hochfrequenztransistoren, in optoelektronischen Geräten und in der Satellitenkommunikation. Ihre Fähigkeit, hohen Spannungen standzuhalten und unter extremen Bedingungen zu arbeiten, macht sie zu einer attraktiven Wahl für elektronische Komponenten der nächsten Generation.