30 mm Aluminiumnitrid-Wafer-Substrat

Die einzigartigen Eigenschaften des 30-mm-Aluminiumnitrid-Wafer-Substrats von Semicorex machen es zu einem idealen Substrat für ultraviolette (UV) LEDs, UV-Detektoren, UV-Laser und die nächste Generation von 5G-Hochleistungs-/Hochfrequenz-HF-Geräten. In der drahtlosen Kommunikation erleichtern die Eigenschaften des 30-mm-Aluminiumnitrid-Wafer-Substrats die Entwicklung von Geräten, die die für 5G-Technologien erforderlichen hohen Leistungen und Frequenzen verarbeiten und so die Signalübertragung und den Signalempfang verbessern können. Darüber hinaus werden AlN-basierte Geräte in Bereichen wie dem Gesundheitswesen und dem Militär in der medizinischen Phototherapie zur Behandlung von Hauterkrankungen, in der Arzneimittelforschung durch photodynamische Therapien und in sicheren Kommunikationstechnologien in der Luft- und Raumfahrt eingesetzt, was die Vielseitigkeit und entscheidende Rolle des 30-mm-Aluminiumnitrid-Wafer-Substrats bei technologischen Fortschritten in der gesamten Welt unterstreicht diverse Branchen.

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Produktbeschreibung

Semicorex 30-mm-Aluminiumnitrid-Wafer-Substrate zeichnen sich durch bemerkenswerte Eigenschaften aus, die für fortschrittliche Halbleiteranwendungen unerlässlich sind. Ihre große Bandlücke ermöglicht den Betrieb von Geräten bei hohen Spannungen und Temperaturen und minimiert gleichzeitig die elektrische Leckage, die für die Leistungselektronik von entscheidender Bedeutung ist. Die hohe Wärmeleitfähigkeit des 30-mm-Aluminiumnitrid-Wafer-Substrats ist entscheidend für die Bewältigung der in Hochleistungsgeräten erzeugten Wärme und verbessert effektiv die Zuverlässigkeit und Leistung der Geräte. Darüber hinaus ermöglicht das hohe Durchschlagsfeld des 30-mm-Aluminiumnitrid-Wafer-Substrats Geräte, die hohen elektrischen Feldern ohne Durchschlag standhalten können, ideal für Anwendungen, die eine hohe Leistungsdichte und Effizienz erfordern.

30-mm-Aluminiumnitrid-Wafer-Substrate weisen eine hohe Elektronenmobilität auf, was zu schnelleren elektronischen Geräten mit besserem Frequenzgang führt. Diese Eigenschaft ist besonders vorteilhaft bei der Herstellung von Hochfrequenzgeräten (RF) und Hochgeschwindigkeitselektronik, wo eine schnelle Signalübertragung und -verarbeitung erforderlich ist. Darüber hinaus macht die Korrosions- und Strahlungsbeständigkeit des 30-mm-Aluminiumnitrid-Wafer-Substrats es zu einer außergewöhnlichen Wahl für raue Umgebungen wie Raumfahrtanwendungen, in denen Materialien korrosiven Gasen und hoher Strahlung ausgesetzt sind. Diese Widerstandsfähigkeit gewährleistet die langfristige Zuverlässigkeit und Funktionalität von Geräten unter extremen Bedingungen und macht das 30-mm-Aluminiumnitrid-Wafer-Substrat zu einem optimalen Substrat für optoelektronische Geräte und elektronische Hochleistungs-/Hochfrequenzkomponenten.

Derzeit bieten wir unseren Kunden standardisierte hochwertige Aluminiumnitrid-Einkristallsubstratprodukte mit den Abmessungen 10x10mm, Φ10mm, Φ15mm, Φ20mm, Φ25,4mm, Φ30mm und Φ50,8mm an. Darüber hinaus liefern wir auch unpolare M-Face-Aluminiumnitrid-Einkristallsubstrate im Bereich von 10–20 mm. Für maßgeschneiderte Anforderungen können wir Polierscheiben für Aluminiumnitrid-Einkristallsubstrate im Bereich von 5 mm bis 50,8 mm anpassen. Dieses breite Angebotsspektrum deckt eine Vielzahl von Kundenbedürfnissen ab und ermöglicht die Erkundung verschiedener technologischer Grenzen.