Ultradünner Graphit mit hoher Porosität

Hervorragende Partikelhaftung an der Oberfläche und hervorragende Anti-Staub-Eigenschaften: Semicorex Ultra-Thin Graphite mit hoher Porosität weist eine außergewöhnliche Partikelhaftung an der Oberfläche auf, wodurch eine minimale Staubentwicklung gewährleistet und eine saubere Arbeitsumgebung aufrechterhalten wird, was für sensible Anwendungen wie die Halbleiterfertigung von entscheidender Bedeutung ist.

Hochtemperaturtoleranz: Der ultradünne Graphit mit hoher Porosität hält extremen Temperaturen von bis zu 2500 °C stand und eignet sich daher für Hochtemperaturprozesse und Umgebungen, in denen herkömmliche Materialien versagen würden.

Hohe Porosität bis zu 65 %: Die hohe Porosität von porösem Graphit ermöglicht einen effizienten Gas- und Flüssigkeitsfluss und ermöglicht so eine bessere Stoffübertragung und Wärmeableitung in verschiedenen Anwendungen.

Ultradünner poröser Graphit mit hervorragender Bearbeitbarkeit: Der ultradünne Graphit mit hoher Porosität kann zu ultradünnen Platten mit einer Dicke von bis zu 1,5 mm verarbeitet werden, während die hohe Porosität erhalten bleibt, was Flexibilität bei Design und Anwendung bietet.

Bearbeitbarkeit für ultradünnwandige zylindrische Formen: Der ultradünne Graphit mit hoher Porosität kann zu ultradünnwandigen zylindrischen Formen mit Wandstärken von ≤ 1 mm bearbeitet werden, was Vielseitigkeit im Komponentendesign und in der Funktionalität bietet.

Hervorragende Isoliereigenschaften und Chargenkonsistenz: Der ultradünne Graphit mit hoher Porosität weist hervorragende Isoliereigenschaften und eine konsistente Leistung von Charge zu Charge auf und gewährleistet zuverlässige und reproduzierbare Ergebnisse bei kritischen Anwendungen.

Ultrareines poröses Graphitmaterial: Der ultradünne Graphit mit hoher Porosität ist in ultrareinen Formen erhältlich und erreicht hohe Reinheitsgrade, die für anspruchsvolle Anwendungen wie die Halbleiterfertigung unerlässlich sind.

Hohe Festigkeit: Trotz seiner porösen Beschaffenheit weist der ultradünne Graphit mit hoher Porosität eine beeindruckende Festigkeit auf, wodurch er für Strukturbauteile und tragende Anwendungen geeignet ist.

Anwendungen in der Halbleiterfertigung:

Ultradünner Graphit mit hoher Porosität wird hauptsächlich in der Halbleiterindustrie eingesetzt, insbesondere im neuartigen Stofftransferprozess. Bei diesem Verfahren wird ein neues thermisches Feld für den Massentransfer in einem Durchgang eingesetzt, wodurch die Übertragungseffizienz erheblich gesteigert und eine konstante Rate aufrechterhalten wird. Dadurch werden die Auswirkungen der Rekristallisation verringert (wodurch ein Massentransfer in zwei Durchgängen vermieden wird) und Mikrorohrbildung oder andere damit verbundene Kristalldefekte wirksam minimiert. Darüber hinaus trägt poröser Graphit dazu bei, Gasphasenkomponenten auszugleichen, Spurenverunreinigungen zu isolieren, lokale Temperaturen anzupassen und die physikalische Partikeleinkapselung zu reduzieren. Durch die Erfüllung der Anforderungen an die Kristallverwendbarkeit ermöglicht poröser Graphit eine erhebliche Erhöhung der Kristalldicke, was ihn zu einer Schlüsseltechnologie für die Bewältigung der Herausforderung der Züchtung dickerer Kristalle macht.