Der poröse Graphitstab von Semicorex ist ein hochreines Material mit einer sehr offenen, miteinander verbundenen Porenstruktur und hoher Porosität, das speziell zur Verbesserung des SiC-Kristallwachstumsprozesses entwickelt wurde. Wählen Sie Semicorex für hochmoderne Halbleitermateriallösungen, bei denen Präzision, Zuverlässigkeit und Innovation im Vordergrund stehen.*
SemicorexPoröser GraphitRod von Semicorex ist eine innovative Lösung zur Verbesserung des Kristallwachstumsprozesses von Siliziumkarbid (SiC). Mit seinen einzigartigen Eigenschaften einer hochoffenen, miteinander verbundenen Porenstruktur, außergewöhnlicher Porosität und unübertroffener Reinheit bietet dieses Material transformative Vorteile für fortgeschrittene Kristallwachstumsanwendungen. Seine präzise Konstruktion macht es zu einem unverzichtbaren Bestandteil in Hochleistungsöfen für die Kristallzüchtung.
Hauptmerkmale
Hochoffene, miteinander verbundene Porenstruktur
Das poröse Design des Stabes ermöglicht eine verbesserte Wärme- und Gasströmungsumgebung in Kristallwachstumsöfen. Diese miteinander verbundene Struktur sorgt für eine gleichmäßige Verteilung der Gase, reduziert thermische Gradienten und verbessert die Gleichmäßigkeit während des Kristallwachstumsprozesses.
Hohe Porosität
Die erhöhte Porosität des Materials sorgt für eine bessere Durchlässigkeit für Prozessgase und ermöglicht so eine effiziente Diffusion und einen effizienten Austausch. Diese Funktion ist entscheidend für die Aufrechterhaltung der genauen Bedingungen, die für eine optimale SiC-Kristallbildung erforderlich sind.
Hohe Reinheit
Der aus hochreinem Graphit gefertigte poröse Graphitstab minimiert das Kontaminationsrisiko und gewährleistet die Integrität und Qualität der SiC-Kristalle. Dieses hohe Reinheitsmerkmal ist für Halbleiteranwendungen von entscheidender Bedeutung, bei denen jegliche Verunreinigungen die Leistung beeinträchtigen könnten.
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Anwendungen im SiC-Kristallwachstum
DerPoröser GraphitStäbe werden hauptsächlich in SiC-Kristallzüchtungsöfen verwendet, wo sie auf folgende Weise eine entscheidende Rolle spielen:
1. Verbesserung des Wachstumsumfelds
Durch die Stabilisierung der thermischen und chemischen Umgebung reduziert der Stab das Auftreten von Defekten im wachsenden Kristall. Diese Stabilisierung gewährleistet die Herstellung hochwertiger SiC-Kristalle mit weniger Fehlern.
2. Optimierung der Kristallqualität
Die poröse Struktur des Stabes trägt dazu bei, eine ideale Wachstumsrate zu erreichen, indem sie die Temperatur und die Gasbedingungen reguliert und so direkt zur Gleichmäßigkeit und Konsistenz des SiC-Kristallgitters beiträgt.
3. Erleichterung fortschrittlicher Ofenkonstruktionen
Seine Vielseitigkeit und Anpassungsfähigkeit ermöglichen die Integration in verschiedene Ofenkonfigurationen und unterstützen innovative Ofentechnologien, die auf eine höhere Effizienz und einen geringeren Energieverbrauch abzielen.
Die Expertise von Semicorex bei Halbleitermateriallösungen zeigt sich in jedem Detail des porösen Graphitstabs. Unser Engagement für Präzisionsfertigung und fortschrittliche Materialwissenschaft stellt sicher, dass unsere Produkte die strengen Anforderungen moderner Halbleiterprozesse erfüllen. Wenn Sie sich für Semicorex entscheiden, investieren Sie in Zuverlässigkeit, Innovation und Exzellenz.
Vorteile für die Halbleiterfertigung
Der poröse Graphitstab bietet deutliche Vorteile, die auf die Halbleiterindustrie zugeschnitten sind:
Erhöhte Kristallausbeute
Durch die Minimierung von Defekten und die Verbesserung der Wachstumsumgebung erhöht der Stab die nutzbare SiC-Kristallproduktion erheblich, was zu einer besseren Kosteneffizienz für Hersteller führt.
Verbesserte thermische Stabilität
Seine hervorragenden thermischen Eigenschaften tragen zum stabilen Betrieb von Kristallwachstumsöfen bei und reduzieren den Wartungsaufwand und Betriebsausfallzeiten.
Anpassbares Design
Semicorex bietet Anpassungsoptionen für spezifische Ofendesigns und Wachstumsprozesse und gewährleistet so eine optimale Integration und Leistung.
Unterstützung der Zukunft der SiC-Technologie
SiC-Kristalle bilden die Grundlage für Halbleitertechnologien der nächsten Generation, darunter Hochleistungsgeräte, Elektrofahrzeuge und Systeme für erneuerbare Energien. Der Porous Graphite Rod trägt mit seinen überlegenen Eigenschaften maßgeblich zum Fortschritt dieser Technologien bei, indem er die konsistente Produktion hochwertiger SiC-Substrate ermöglicht.