Poröser Graphittiegel

Ein poröser Graphittiegel spielt eine entscheidende Rolle beim Wachstum von Siliziumkarbid (SiC)-Einkristallen, einem entscheidenden Schritt in der Halbleiterherstellung. Dieser Spezialtiegel ist so konzipiert, dass er extremen Temperaturen und rauen chemischen Umgebungen standhält, was ihn zu einem idealen Behälter für die Hochtemperaturreaktionen beim SiC-Kristallwachstum macht.

Der Tiegel besteht typischerweise aus hochreinem Graphitmaterial, das für seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, chemische Inertheit und mechanische Festigkeit bekannt ist. Der Begriff „porös“ bezieht sich auf die absichtliche Schaffung einer durchlässigen Struktur innerhalb des Graphits, die den kontrollierten Fluss von Gasen und Flüssigkeiten während des Kristallwachstumsprozesses ermöglicht.

Der SiC-Einkristall-Züchtungsprozess umfasst die Sublimation von Silizium- und Kohlenstoffquellenmaterialien in einem Hochtemperaturofen. Der poröse Graphittiegel fungiert als Behälter für diese Ausgangsmaterialien und bietet eine stabile und kontrollierte Umgebung für das Kristallwachstum. Seine poröse Struktur ermöglicht den effizienten Transport von Vorläufergasen und erleichtert die Entfernung von Nebenprodukten, die während des Wachstumsprozesses entstehen.

Die Fähigkeit des Tiegels, seine Stabilität aufrechtzuerhalten und extremen Bedingungen standzuhalten, ist entscheidend für die Herstellung hochwertiger SiC-Einkristalle, die für die Herstellung von Halbleiterbauelementen von entscheidender Bedeutung sind. Die Porosität des Tiegels hilft bei der Optimierung des Gasflusses und der Wärmeverteilung und trägt so zum gleichmäßigen Wachstum großer und hochwertiger SiC-Kristalle bei.