Poröse Graphitmaterialien für Einkristall-SiC-Wachstumsanwendungen

Poröse Graphitmaterialien von Semicorex sind so konzipiert, dass sie den hohen Anforderungen von SiC-Kristallwachstumsanwendungen gerecht werden. Diese mit Präzision entwickelten und auf Leistung ausgelegten Materialien sind Ihr Schlüssel zur Herstellung erstklassiger SiC-Kristalle mit unübertroffener Qualität und Reinheit.

Merkmale:

Optimierte Porosität: Unsere porösen Graphitmaterialien verfügen über präzise kontrollierte Porositätsniveaus, um das Wachstum von einkristallinem SiC zu erleichtern. Die gleichmäßige Porenverteilung sorgt für konsistente und zuverlässige Ergebnisse.

Hohe Wärmeleitfähigkeit: Um eine effiziente Wärmeübertragung während des SiC-Wachstumsprozesses zu gewährleisten, sind unsere Materialien mit hoher Wärmeleitfähigkeit ausgestattet, wodurch Temperaturgradienten reduziert und Kristalldefekte minimiert werden.

Chemische Inertheit: Die Beständigkeit gegenüber rauen chemischen Umgebungen ist bei Kristallwachstumsanwendungen von größter Bedeutung. Unsere Materialien sind außergewöhnlich chemisch inert und stellen sicher, dass sie stabil bleiben und von der korrosiven Natur der SiC-Wachstumsprozesse unberührt bleiben.

Mechanische Stabilität: Diese Materialien sind auf Langlebigkeit ausgelegt und weisen eine außergewöhnliche mechanische Stabilität auf, wodurch das Risiko einer Verformung oder Beschädigung bei längerem Gebrauch minimiert wird.

Anpassbarkeit: Wir verstehen, dass unterschiedliche Kristallwachstumsprozesse einzigartige Anforderungen haben. Aus diesem Grund bieten wir eine Reihe von Anpassungsmöglichkeiten an, darunter unterschiedliche Porositätsgrade, Größen und Formen, um unsere Materialien an Ihre spezifischen Bedürfnisse anzupassen.