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Siliziumkarbid-Graphit-Substrat-MOCVD-Suszeptor

Siliziumkarbid-Graphit-Substrat-MOCVD-Suszeptor

Der Semicorex-Siliziumkarbid-Graphit-Substrat-MOCVD-Suszeptor ist die ultimative Wahl für Halbleiterhersteller, die einen hochwertigen Träger suchen, der überragende Leistung und Haltbarkeit bietet. Sein fortschrittliches Material sorgt für ein gleichmäßiges thermisches Profil und ein laminares Gasströmungsmuster und liefert qualitativ hochwertige Wafer.

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Flüssigphasenepitaxie (LPE)-Reaktorsystem

Flüssigphasenepitaxie (LPE)-Reaktorsystem

Das Semicorex Liquid Phase Epitaxy (LPE) Reaktorsystem ist ein innovatives Produkt, das eine hervorragende thermische Leistung, ein gleichmäßiges thermisches Profil und eine hervorragende Beschichtungshaftung bietet. Seine hohe Reinheit, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen und Korrosionsbeständigkeit machen es zur idealen Wahl für den Einsatz in der Halbleiterindustrie. Seine anpassbaren Optionen und seine Kosteneffizienz machen es zu einem äußerst wettbewerbsfähigen Produkt auf dem Markt.

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Trommelstruktur für einen Halbleiter-Epitaxialreaktor

Trommelstruktur für einen Halbleiter-Epitaxialreaktor

Mit seiner außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit und Wärmeverteilungseigenschaften ist die Semicorex-Zylinderstruktur für Halbleiter-Epitaxialreaktoren die perfekte Wahl für den Einsatz in LPE-Prozessen und anderen Halbleiterfertigungsanwendungen. Seine hochreine SiC-Beschichtung bietet hervorragenden Schutz in Umgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion.

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SiC-beschichteter Zylindersuszeptor für die Wafer-Epitaxie

SiC-beschichteter Zylindersuszeptor für die Wafer-Epitaxie

Der Semicorex SiC-beschichtete Zylindersuszeptor für die Waferepitaxie ist dank seiner außergewöhnlich flachen Oberfläche und der hochwertigen SiC-Beschichtung die perfekte Wahl für Einkristallwachstumsanwendungen. Sein hoher Schmelzpunkt, seine Oxidationsbeständigkeit und seine Korrosionsbeständigkeit machen es zur idealen Wahl für den Einsatz in Umgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion.

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