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GaN-auf-SiC-Substrat

Semicorex-Graphitsuszeptor, der speziell für Epitaxiegeräte mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit in China entwickelt wurde. Unsere GaN-auf-SiC-Substrat-Suszeptoren haben einen guten Preisvorteil und decken viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Träger für epitaktische GaN-auf-SiC-Wafer

Semicorex ist ein führender unabhängiger Hersteller von mit Siliziumkarbid beschichtetem Graphit und präzisionsgefertigtem hochreinem Graphit mit Schwerpunkt auf den Bereichen Siliziumkarbid-beschichteter Graphit, Siliziumkarbid-Keramik und MOCVP der Halbleiterfertigung. Unser GaN-auf-SiC-Epitaxie-Wafer-Träger hat einen guten Preisvorteil und deckt viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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SiC-Suszeptor für MOCVD

Semicorex ist ein führender Hersteller und Lieferant von SiC-Suszeptoren für MOCVD. Unser Produkt ist speziell auf die Bedürfnisse der Halbleiterindustrie beim Wachstum der Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip zugeschnitten. Das Produkt wird als Mittelplatte bei MOCVD verwendet, mit zahnrad- oder ringförmiger Gestaltung. Es weist eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit auf und eignet sich daher ideal für den Einsatz in extremen Umgebungen.

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Möchten Sie fortschrittliche und langlebige gan-on-silicon-carbide kaufen? Semicorex ist definitiv Ihre gute Wahl. Wir sind als einer der wettbewerbsfähigsten gan-on-silicon-carbide Hersteller und Lieferanten in China bekannt. Wir bieten auch Sammelverpackungen an. Möglicherweise benötigen Sie einige kundenspezifische Dienstleistungen, um die tatsächlichen Bedürfnisse Ihrer Region zu erfüllen. Sie können uns über die Kontaktinformationen auf der Webseite eine Nachricht hinterlassen. Wir heißen neue und alte Kunden herzlich willkommen, unsere Fabrik zur Beratung und Verhandlung zu besuchen.