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SiC-Disc-Receiver

Semicorex stellt seinen SiC-Scheibensuszeptor vor, der die Leistung von Geräten für Epitaxie, metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) und schnelle thermische Verarbeitung (RTP) steigern soll. Der sorgfältig konstruierte SiC-Scheibensuszeptor verfügt über Eigenschaften, die überlegene Leistung, Haltbarkeit und Effizienz in Hochtemperatur- und Vakuumumgebungen garantieren.**

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Graphit-Thermalfeld

Semicorex Graphite Thermal Field kombiniert modernste Materialwissenschaft mit einem tiefen Verständnis von Kristallwachstumsprozessen und liefert eine innovative Lösung, die es der Halbleiterindustrie ermöglicht, neue Leistungs-, Effizienz- und Kosteneffizienzniveaus zu erreichen.**

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LPE SiC-Epi Halbmond

Semicorex LPE SiC-Epi Halfmoon ist ein unverzichtbarer Aktivposten in der Welt der Epitaxie und bietet eine robuste Lösung für die Herausforderungen, die sich aus hohen Temperaturen, reaktiven Gasen und strengen Reinheitsanforderungen ergeben.**

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CVD-TaC-Beschichtungsabdeckung

Semicorex CVD TaC Coating Cover hat sich zu einer entscheidenden Technologie in den anspruchsvollen Umgebungen in Epitaxiereaktoren entwickelt, die durch hohe Temperaturen, reaktive Gase und strenge Reinheitsanforderungen gekennzeichnet sind und robuste Materialien erfordern, um ein gleichmäßiges Kristallwachstum sicherzustellen und unerwünschte Reaktionen zu verhindern.**

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Graphit-Einzel-Silizium-Abziehwerkzeuge

Semicorex-Graphit-Einzel-Silizium-Ziehwerkzeuge erweisen sich als unbesungene Helden im feurigen Tiegel von Kristallwachstumsöfen, wo die Temperaturen in die Höhe schnellen und Präzision an erster Stelle steht. Ihre bemerkenswerten Eigenschaften, die durch innovative Herstellung verfeinert wurden, machen sie unverzichtbar für die Entstehung von makellosem einkristallinem Silizium.**

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TaC-Beschichtungsführungsring

Der TaC-Beschichtungsführungsring von Semicorex dient als zentraler Bestandteil von Geräten zur metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) und gewährleistet die präzise und stabile Zufuhr von Vorläufergasen während des epitaktischen Wachstumsprozesses. Der TaC-Beschichtungsführungsring verfügt über eine Reihe von Eigenschaften, die ihn ideal für den Einsatz unter den extremen Bedingungen in der MOCVD-Reaktorkammer machen.**

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