Nachricht

Wie läuft die SiC-Epitaxie ab?

Im Hochspannungsbereich, insbesondere bei Hochspannungsgeräten über 20.000 V, steht die SiC-Epitaxietechnologie noch vor mehreren Herausforderungen. Eine der Hauptschwierigkeiten besteht darin, eine hohe Gleichmäßigkeit, Dicke und Dotierungskonzentration in der Epitaxieschicht zu erreichen. Für die ......

Erhebliches Wachstum des Marktes für SiC-beschichtete Graphitsuszeptoren

MOCVD ist die Schlüsselausrüstung

Mittel für Halbleiterprojekte

Jedes Land ist sich der Bedeutung von Chips bewusst und beschleunigt nun den Aufbau eines eigenen Lieferketten-Ökosystems für die Chipherstellung, um ein weiteres Problem der Chipknappheit zu verhindern. Aber die fortschrittlichen Gießereien ohne Chipdesigner der nächsten Generation wären dasselbe w......

TSMC: 2-nm-Prozess-Risikotestproduktion im nächsten Jahr

In ihrem neu veröffentlichten Jahresbericht enthüllten TSMC-Vorsitzender Deyin Liu und CEO Chieh-Jia Wei die Fortschritte im Zusammenhang mit dem 2-nm-Prozess.

Anwendungsszenarien für Epitaxieschichten

Wir wissen, dass auf einigen Wafer-Substraten für die Geräteherstellung weitere Epitaxieschichten aufgebaut werden müssen, typischerweise LED-Licht emittierende Geräte, die GaAs-Epitaxieschichten auf Siliziumsubstraten erfordern; SiC-Epitaxieschichten werden auf leitfähigen SiC-Substraten aufgewachs......