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Anwendungen in der GaN-Industrie

Die Anwendungsbereiche von SiC-basiertem und Si-basiertem GaN sind nicht strikt getrennt. Bei GaN-auf-SiC-Geräten sind die Kosten des SiC-Substrats relativ hoch, und mit der zunehmenden Reife der SiC-Langkristalltechnologie wird erwartet, dass die Kosten des Geräts weiter sinken und es in Leistungsg......

Über Halbleiterheizelemente

Die Wärmebehandlung ist einer der wesentlichen und wichtigen Prozesse im Halbleiterprozess. Ein thermischer Prozess ist der Prozess, bei dem Wärmeenergie auf einen Wafer angewendet wird, indem dieser in eine mit einem bestimmten Gas gefüllte Umgebung gebracht wird, einschließlich Oxidation/Diffusion......

Beginnen Sie mit der Produktion von 3C-SiC-Wafern

Die kürzlich gemessene Wärmeleitfähigkeit von massivem 3C-SiC ist die zweithöchste unter den großen Kristallen im Zollmaßstab und liegt knapp unter Diamant. Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleiter mit großer Bandlücke, der häufig in elektronischen Anwendungen verwendet wird und in verschiedenen kris......

Semicorex kündigt 8-Zoll-SiC-Epitaxiewafer an

Taiwans PSMC baut 300-mm-Wafer-Fabrik in Japan

Taiwans Power Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) hat Pläne zum Bau einer 300-mm-Wafer-Fabrik in Japan in Zusammenarbeit mit SBI Holdings angekündigt. Der Zweck dieser Zusammenarbeit besteht darin, Japans heimische IC-Lieferkette (Integrated Circuit) zu stärken, mit besonderem Schwerpunkt......

Was ist CVD für SiC?