SiC-Paddel

Die SiC-Paddel sind einzigartige Komponenten des Trägers, insbesondere für den Transport und die Integration von Halbleiterwafern in eine Batch-Arbeitslast unter anderem in Prozessen wie Hochtemperaturoxidation und -diffusion. Hergestellt mit hoher ReinheitSiliziumkarbid, da es die chemische Stabilität bei Verarbeitungstemperaturen aufrechterhält, die das Ausgasen von Metallverunreinigungen oder Partikeln verhindern, die den Wafer verunreinigen, und so eine stabile Waferausbeute gewährleistet. Schließlich,freitragende Paddelsind auch mit integrierten Wafertransfersystemen kompatibel, wodurch die Abhängigkeit vom Menschen weiter verringert und der Durchsatz erhöht wird.

Die SiC-Paddel sind einzigartige Komponenten des Trägers, insbesondere für den Transport und die Integration von Halbleiterwafern in eine Batch-Arbeitslast unter anderem in Prozessen wie Hochtemperaturoxidation und -diffusion. Hergestellt mit hoher ReinheitSiliziumkarbid (SiC)Die SiC-Paddel bieten die thermische Stabilität, mechanische Festigkeit und chemische Beständigkeit, um einen stabilen Transport über Temperaturen von 1000 °C zu gewährleisten. Die SiC-Paddel sind für die Waferverarbeitung erforderlich: Sie stellen sicher, dass empfindliche Substrate angemessen gehandhabt werden können, während während des gesamten Oxidations-, Diffusions- und Glühprozesses die Integrität und Konsistenz erhalten bleibt.

Die auf Robustheit und Zuverlässigkeit ausgelegten SiC-Paddel sind freitragende Arme, die Waferboote oder Waferstapel halten. Das Paddel unterstützt Wafer, während sie in die Prozesskammer eingeführt oder daraus entnommen werden. Herkömmliche Materialien versagen bei diesen hohen Temperaturen durch Verformung, Verformung oder chemischen Abbau. Die mechanische Stabilität und strukturelle Integrität von Siliziumkarbid ermöglichen es dem Paddel, mehrere thermische Zyklen ohne Form- oder Funktionsverlust zu überstehen. Diese Fähigkeit ist wichtig, um die Ausrichtung des Ofens aufrechtzuerhalten, um sicherzustellen, dass die Wafer während des Prozesses nicht beschädigt werden, und um teure Ausfallzeiten zu minimieren.

Die thermische Stabilität der SiC-Paddel wird durch ihre hervorragende chemische Beständigkeit gegenüber reaktiven Gasen ergänzt, die normalerweise bei Oxidations- und Diffusionsprozessen auftreten (z. B. Sauerstoff, Chlor und andere aggressive Spezies bei hohen Temperaturen). Viele Materialien werden zerstört oder kontaminiert, wenn sie sowohl hohen Temperaturen als auch Sauerstoff ausgesetzt werden. Siliziumkarbid ist chemisch inert und seine dichte Mikrostruktur stellt sicher, dass keine chemischen Reaktionen auftreten, was sowohl die strukturelle Integrität der Paddel als auch eine saubere Umgebung für den Wafer gewährleistet. Das daraus resultierende Kontaminationsrisiko wird für Halbleiterhersteller, die an einigen der fortschrittlichsten Prozessknoten arbeiten, bei denen selbst Spurenelemente von Verunreinigungen erhebliche Veränderungen in der Geräteleistung hervorrufen können, auf ein Minimum reduziert.

Die mit den SiC-Paddeln verbundene mechanische Integrität bietet auch einen Mehrwert bei den Handhabungsprozessen. Die freitragende Strukturform erfordert ein Material, das das Gewicht von Schichtstapeln tragen kann und sich nicht verbiegt oder durchhängt. Der sehr hohe Modul und die sehr hohe Härte von Siliziumkarbid machen es zu einer guten Wahl für die erforderliche mechanische Strukturfunktion. Das SiC-Paddel behält sowohl seine Ebenheit als auch seine Struktur bei, selbst wenn es mit Wafern beladen ist. Dies bedeutet eine ständige Kontrolle des Ofens und seiner Bedingungen während langer Produktionszeiten.