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Tiegel aus Tantalkarbid

Tiegel aus Tantalkarbid

Der Tantalkarbidtiegel von Semicorex ist eine entscheidende Komponente in der Halbleiterindustrie und wurde speziell für das Wachstum von Siliziumkarbidkristallen (SiC) entwickelt. Semicorex ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden*.

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Produktbeschreibung

Der Tantalcarbid-Tiegel von Semicorex wird sorgfältig aus Graphit gefertigt, der dann mit Tantalcarbid (TaC) beschichtet wird, einer Kombination, die eine hervorragende Leistung in der Hochtemperatur- und chemisch anspruchsvollen Umgebung des SiC-Kristallwachstums bietet.


Tantalcarbid ist ein feuerfestes Keramikmaterial, das für seine außergewöhnliche Härte, chemische Beständigkeit und die Fähigkeit, die strukturelle Integrität bei extrem hohen Temperaturen aufrechtzuerhalten, bekannt ist. Durch die Beschichtung des Graphittiegels mit TaC erhält der Tantalkarbidtiegel diese vorteilhaften Eigenschaften und verbessert so seine Leistung und Lebensdauer erheblich. Die TaC-Beschichtung fungiert als Schutzbarriere und verhindert, dass der Graphit während des Wachstumsprozesses mit dem SiC-Material oder anderen Gasen reagiert. Dadurch wird sichergestellt, dass der Tiegel seine Integrität behält und keine Verunreinigungen eingebracht werden, die die Qualität der SiC-Kristalle beeinträchtigen könnten.


Tantalcarbid-Tiegel können bei den erhöhten Temperaturen betrieben werden, die für das SiC-Kristallwachstum erforderlich sind. SiC-Kristalle werden typischerweise bei Temperaturen über 2000 °C gezüchtet, und die konstante Aufrechterhaltung dieser hohen Temperaturen ist für die Herstellung hochwertiger Kristalle von entscheidender Bedeutung. Der TaC-beschichtete Graphittiegel hält diesen extremen Bedingungen stand, ohne sich zu verformen oder zu zersetzen, und bietet so eine stabile Umgebung für den Kristallwachstumsprozess. Diese Stabilität ist entscheidend für das Erreichen der gewünschten Kristallgröße, Reinheit und Struktureigenschaften, die für Halbleiteranwendungen erforderlich sind.


Tantalkarbidtiegel weisen eine hohe chemische Beständigkeit auf und sind daher für das Wachstum von SiC-Kristallen unerlässlich. Während des Wachstumsprozesses werden verschiedene Gase und reaktive Spezies eingeführt, um die Bildung von SiC-Kristallen zu unterstützen. Diese Umgebungen können stark korrosiv sein und ein Risiko für die strukturelle Integrität des Tiegels darstellen. Die TaC-Beschichtung schützt den Graphit wirksam vor diesen korrosiven Elementen und sorgt so dafür, dass der Tiegel während des Prozesses intakt und funktionsfähig bleibt. Diese Beständigkeit gegenüber chemischen Angriffen verlängert nicht nur die Lebensdauer des Tiegels, sondern trägt auch zur Gesamteffizienz und Kosteneffizienz des Kristallwachstumsvorgangs bei.



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