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Graphittiegel mit Tantalkarbidbeschichtung

Graphittiegel mit Tantalkarbidbeschichtung

Der Graphittiegel mit Tantalkarbidbeschichtung von Semicorex ist eine Spezialkomponente, die für den Einsatz in der Halbleiterindustrie, insbesondere für das Wachstum von Siliziumkarbidkristallen (SiC), entwickelt wurde. Dieser Hochleistungstiegel zeichnet sich durch seine einzigartige Materialzusammensetzung und sein strukturelles Design aus und macht ihn zu einem unverzichtbaren Werkzeug in fortgeschrittenen Kristallwachstumsprozessen. Semicorex ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden*.

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Produktbeschreibung

Semicorex-Graphittiegel mit Tantalkarbidbeschichtung werden hauptsächlich aus Graphit hergestellt, der für seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, mechanische Festigkeit und Temperaturschockbeständigkeit bekannt ist. Um seine Eigenschaften zu verbessern und seine Lebensdauer in Hochtemperaturumgebungen zu verlängern, ist der Graphit mit Tantalkarbid (TaC) beschichtet. Tantalcarbid wird aufgrund seiner außergewöhnlichen Härte, seines hohen Schmelzpunkts und seiner chemischen Stabilität ausgewählt, insbesondere in Umgebungen, in denen andere Materialien beschädigt werden oder negativ reagieren könnten. Diese Kombination aus Graphit und TaC ergibt einen Tiegel, der den extremen Bedingungen standhält, die für das Wachstum von SiC-Kristallen erforderlich sind, und gleichzeitig Haltbarkeit und Leistung bietet.


Das Design des Graphittiegels mit Tantalkarbidbeschichtung ist ein weiterer Faktor, der ihn auszeichnet. Im Gegensatz zu herkömmlichen einteiligen Tiegeln weist dieses Modell eine segmentierte Form auf, die typischerweise in drei separate Teile unterteilt ist. Dieses dreiteilige Design, das oft als „dreiblättriger“ oder „dreilappiger“ Tiegel bezeichnet wird, bietet mehrere Vorteile. Erstens ermöglicht es eine einfachere Handhabung und Montage, insbesondere in Situationen, in denen der Tiegel häufig entfernt oder ersetzt werden muss. Das segmentierte Design ermöglicht außerdem eine gleichmäßigere Erwärmung und Abkühlung und verringert das Risiko von Wärmegradienten, die zu Spannungen und einem möglichen Ausfall des Tiegels oder des wachsenden Kristalls führen können.


Das segmentierte Design des Graphittiegels mit Tantalkarbidbeschichtung bietet auch praktische Vorteile im Hinblick auf Wartung und Austausch. Einzelne Segmente können bei Bedarf ausgetauscht werden, anstatt den gesamten Tiegel austauschen zu müssen. Dieser modulare Ansatz senkt nicht nur die Kosten, sondern minimiert auch Ausfallzeiten, da die Wartung effizienter durchgeführt werden kann. Darüber hinaus ermöglicht das segmentierte Design eine größere Flexibilität bei der Verwendung des Tiegels, da verschiedene Segmente an spezifische Bedürfnisse angepasst oder bei Beschädigung unabhängig voneinander ausgetauscht werden können.


Im Kontext des SiC-Kristallwachstums spielt der Graphittiegel mit Tantalkarbidbeschichtung eine entscheidende Rolle. Siliziumkarbidkristalle sind für ihre Härte, hohe Wärmeleitfähigkeit und große Bandlücke bekannt und eignen sich daher ideal für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen. Der Wachstumsprozess von SiC-Kristallen ist jedoch komplex und erfordert eine genaue Kontrolle der Temperatur und Umgebungsbedingungen. Der mit Tantalkarbid beschichtete Graphittiegel trägt dazu bei, diese Bedingungen zu erreichen, indem er eine stabile und inerte Umgebung bietet, die den hohen Temperaturen standhält, die für die SiC-Sublimation und das Kristallwachstum erforderlich sind.


Der mit Tantalkarbid beschichtete Graphittiegel von Semicorex stellt einen bedeutenden Fortschritt bei den verfügbaren Werkzeugen für das SiC-Kristallwachstum dar. Seine Kombination aus Hochleistungsmaterialien und innovativem Design macht es zu einem wesentlichen Bestandteil im Halbleiterfertigungsprozess. Durch die Bereitstellung einer dauerhaften, stabilen und effizienten Umgebung für das Kristallwachstum trägt dieser Tiegel dazu bei, die Produktion hochwertiger SiC-Kristalle sicherzustellen, die für die nächste Generation von Halbleiterbauelementen von entscheidender Bedeutung sind.







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