TaC-beschichteter Halbmond

Der mit Semicorex TaC beschichtete Halfmoon behält seine strukturelle Integrität und chemische Inertheit bei den erhöhten Temperaturen (bis zu 2200 °C), die für die SiC-Epitaxie erforderlich sind. Dies gewährleistet eine gleichbleibende thermische Leistung und verhindert unerwünschte Reaktionen mit Prozessgasen oder Ausgangsmaterialien. Und es kann so konstruiert werden, dass die Wärmeleitfähigkeit und der Emissionsgrad optimiert werden und eine gleichmäßige Wärmeverteilung über die Suszeptoroberfläche gefördert wird. Dies führt zu homogeneren Wafer-Temperaturprofilen und einer verbesserten Gleichmäßigkeit der Dicke der Epitaxieschicht und der Dotierungskonzentration. Darüber hinaus kann der Wärmeausdehnungskoeffizient des TaC-beschichteten Halbmonds so angepasst werden, dass er dem von SiC nahezu entspricht, wodurch die thermische Belastung während der Heiz- und Kühlzyklen minimiert wird. Dies verringert das Durchbiegen des Wafers und das Risiko der Defektbildung, was zu höheren Geräteausbeuten beiträgt.

Der TaC-beschichtete Halfmoon verlängert die Lebensdauer von Graphitsuszeptoren im Vergleich zu unbeschichteten/SiC-beschichteten Alternativen erheblich. Die erhöhte Beständigkeit gegen SiC-Ablagerung und thermische Zersetzung reduziert die Häufigkeit von Reinigungszyklen und Austauschen und senkt so die Gesamtherstellungskosten.

Vorteile für die Leistung von SiC-Geräten:

Verbesserte Gerätezuverlässigkeit und Leistung:Die verbesserte Gleichmäßigkeit und verringerte Defektdichte in Epitaxieschichten, die auf dem TaC-beschichteten Halfmoon gewachsen sind, führen zu höheren Geräteausbeuten und einer verbesserten Leistung in Bezug auf Durchbruchspannung, Einschaltwiderstand und Schaltgeschwindigkeit.

Kostengünstige Lösung für die Massenfertigung:Die längere Lebensdauer, der geringere Wartungsaufwand und die verbesserte Waferqualität tragen zu einem kostengünstigeren Herstellungsprozess für SiC-Leistungsbauelemente bei.

Der TaC-beschichtete Halbmond von Semicorex spielt eine entscheidende Rolle bei der Weiterentwicklung der SiC-Epitaxie, indem er wichtige Herausforderungen im Zusammenhang mit Materialkompatibilität, Wärmemanagement und Prozesskontamination angeht. Dies ermöglicht die Herstellung hochwertigerer SiC-Wafer und führt zu effizienteren und zuverlässigeren leistungselektronischen Geräten für Anwendungen in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und anderen anspruchsvollen Branchen.