TaC-beschichtete Graphitwafer-Suszeptoren

Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung moderner Halbleiterfertigungsprozesse sind die Anforderungen an epitaktische Wafer hinsichtlich Filmgleichmäßigkeit, kristallographischer Qualität und Prozessstabilität immer strenger geworden. Aus diesem Grund ist der Einsatz leistungsstark und langlebigTaC-beschichtete Graphit-Wafer-Suszeptorenim Produktionsprozess ist wichtig, um eine stabile Abscheidung und ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum sicherzustellen.

Die Vorteile von Semicorex TaC-beschichteten Graphit-Wafer-Suszeptoren

1. Die hervorragende Materialauswahl

(1) Matrixmaterial

Semicorex verwendet Premium-HochreinheitGraphitals Matrix von Wafer-Suszeptoren, die eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, Hochtemperaturbeständigkeit sowie mechanische Festigkeit und Härte bieten. Sein Wärmeausdehnungskoeffizient ist stark an den der TaC-Beschichtung angepasst, wodurch eine feste Haftung gewährleistet und ein Abblättern oder Abplatzen der Beschichtung verhindert wird.

(2) Beschichtungsmaterial

Tantalcarbid ist ein Hochleistungsmaterial mit einem extrem hohen Schmelzpunkt (ca. 3880℃), ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit, hervorragender chemischer Stabilität und hervorragender mechanischer Festigkeit. Die spezifischen Leistungsparameter sind wie folgt:

2. Außergewöhnliche Beschichtungsleistung

Semicorex setzt modernste CVD-Technologie ein, um das Material gleichmäßig und fest zu verklebenTaC-Beschichtungzur Graphitmatrix, wodurch das Risiko von Rissen oder Abblättern der Beschichtung durch hohe Temperaturen und chemische Korrosion unter Betriebsbedingungen wirksam verringert wird. Darüber hinaus erreicht die Präzisionsverarbeitungstechnologie von Semicorex eine Oberflächenebenheit im Nanometerbereich für TaC-beschichtete Graphitwafer-Suszeptoren, und ihre Beschichtungstoleranzen werden auf Mikrometerebene kontrolliert, was optimale Plattformen für die epitaktische Waferabscheidung bietet.

3. Reinigungsstufe in Halbleiterqualität

Graphitmatrizen können nicht direkt in Prozessen wie der Molekularstrahlepitaxie (MBE), der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) verwendet werden. Durch die Anwendung von TaC-Beschichtungen wird eine Kontamination des Wafers, die durch die Reaktion zwischen der Graphitmatrix und den Chemikalien verursacht wird, effektiv vermieden und so eine Beeinträchtigung der endgültigen Abscheidungsleistung verhindert. Um eine Reinheit auf Halbleiterebene in der Reaktionskammer sicherzustellen, wird jeder TaC-beschichtete Graphitwafer-Suszeptor von Semicorex, der in direktem Kontakt mit Halbleiterwafern stehen muss, vor der Vakuumverpackung einer Ultraschallreinigung unterzogen.