Semicorex-Rippen aus massivem Siliziumkarbid sind hochleistungsfähige Komponenten, die präzisionsgefertigt aus massivem CVD-SiC hergestellt werden und hauptsächlich in Hochtemperaturöfen in Halbleiter-Wärmebehandlungsanlagen verwendet werden. Semicorex ist bestrebt, unseren geschätzten Kunden maßgeschneiderte Rippen aus massivem Siliziumkarbid in marktführender Qualität anzubieten und freut sich darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
Semicorex massivSiliziumkarbid-Lamellenwerden typischerweise als Wärmedämmkomponenten in vertikalen Ofenrohren von Halbleiter-Wärmebehandlungsanlagen wie RTP-Glühöfen und Diffusionsöfen installiert. Semicorex-Rippen aus massivem Siliziumkarbid können die Temperaturverteilung in Hochtemperaturöfen effektiv regulieren und Hitzeschäden an Prozesstürdichtungsteilen, die durch hohe Temperaturen verursacht werden, minimieren. Unter Nassoxidationsbedingungen können Semicorex-Rippen aus massivem Siliziumkarbid eingesetzt werden, um negative Auswirkungen auf Prozessergebnisse und Halbleiterbauelemente, die durch Wasserdampfkondensation bei relativ niedrigen Prozesstemperaturen verursacht werden, wirksam zu verhindern.
CVD-SiC verfügt über eine polykristalline kubische Kristallstruktur mit einer außergewöhnlichen Härte, die nur von Diamant übertroffen wird. Auf diese Eigenschaft wird die hervorragende Verschleißfestigkeit der Semicorex-Lamellen aus massivem Siliziumkarbid zurückgeführt, die dafür sorgen, dass sie bei der Handhabung und beim Austausch dem Abrieb standhalten.
CVD-SiC bietet eine hervorragende Wärmebeständigkeit und Hochtemperaturstabilität, schmilzt oder erweicht bei Temperaturen bis etwa 2000 °C nicht und behält seine Stabilität vor der Ultrahochtemperatur-Sublimation bei. Dank dieser hervorragenden thermischen Eigenschaften eignen sich Semicorex-Rippen aus massivem Siliziumkarbid hervorragend für die anspruchsvollen Verarbeitungsbedingungen der Halbleiter-Wärmebehandlung.
CVD-SiCwird ohne Sinterzusätze während des Abscheidungsprozesses hergestellt. Im Vergleich zu herkömmlichem reaktionsgebundenem Siliziumkarbid weist es eine deutlich höhere Reinheit auf und erreicht über 99,9995 %. Dies verhindert effektiv eine Verunreinigung der Semicorex-Rippen aus massivem Siliziumkarbid durch metallische Verunreinigungen, die durch hohe Temperaturen in Prozessumgebungen verursacht werden, und erfüllt so perfekt die Sauberkeitsanforderungen der fortschrittlichen Halbleiterfertigung.
Aufgrund der außergewöhnlichen chemischen Inertheit von CVD-SiC bei hohen Temperaturen können Semicorex-Rippen aus massivem Siliziumkarbid stark oxidierenden und stark sauren Prozessgasen widerstehen, die in Halbleiter-Wärmebehandlungsprozessen eingesetzt werden. Diese zuverlässige Korrosionsbeständigkeit verlängert effektiv ihre Lebensdauer und senkt die Kosten für den Austausch von Komponenten.
Um die Kompatibilität mit verschiedenen Ofenrohren zu gewährleisten, kann Semicorex Rippen aus massivem Siliziumkarbid entsprechend den Kundenanforderungen hinsichtlich Durchmesser, Dicke, Lochgröße, Ebenheit und Maßtoleranzen anpassen. Diese hohe Bearbeitungspräzision garantiert einen stabilen Betrieb der Rippen in Geräten und trägt zur Optimierung der Gesamteffizienz von Halbleiter-Wärmebehandlungsanwendungen bei.