Fokusringe aus Siliziumkarbid

Fokusringe aus Siliziumkarbidwerden üblicherweise in der Reaktionskammer von Ätzgeräten installiert und um die Wafer-Trägerfläche des elektrostatischen Spannfutters herum platziert. Mit dieser Installationsanordnung kann der Höhenunterschied zwischen der Waferkante und der Elektrode erfolgreich ausgeglichen werden, indem das Plasma in der Reaktionskammer auf die Waferoberfläche fokussiert wird, um eine gleichmäßige Ätzung zu erreichen, und außerdem die Diffusion des Plasmas von der Waferkante nach außen verhindert wird, um das Problem einer Überätzung der Waferkante zu vermeiden.

Hochwertige Ätzkomponenten können eine stabile elektrische Feldumgebung für den Ätzprozess bereitstellen. Die Siliziumkarbid-Fokusringe von Semicorex werden aus Hochleistungsmaterialien hergestelltSiliziumkarbid-Materialienmittels chemischer Gasphasenabscheidung. Unsere Fokusringe sind in der Lage, die elektrische Feldverteilung um den Wafer herum anzupassen und so Ätzabweichungen oder Entladungsphänomene, die durch ungleichmäßige elektrische Felder verursacht werden, deutlich zu reduzieren.

Halbleiterwafer sind leicht anfällig für Partikelverunreinigungen, daher müssen Plasmaätzprozesse in hochreinen Ionenätzreaktionskammern durchgeführt werden. Als Hauptkomponente von Ätzgeräten kommen Fokusringe aus Siliziumkarbid im eigentlichen Betrieb in direkten Kontakt mit der Waferkante, was auch zur Einhaltung höchster Sauberkeitsstandards erforderlich ist. Die Siliziumkarbid-Fokusringe von Semicorex bieten die Vorteile einer hohen Reinheit und eines geringen Verunreinigungsgehalts, wodurch die strengen Reinheitsanforderungen von Halbleiterätzprozessen genau erfüllt werden können. Dies trägt erheblich zur Reduzierung von Waferdefekten bei und verbessert die Waferproduktionsausbeute.

Beim Plasmaätzprozess werden Ätzgase wie Fluor und Sauerstoff in die Reaktionskammer eingeleitet. Die chemische Korrosionsbeständigkeit der Ätzanlage wird durch die durch Prozessgase verursachte Langzeitkorrosion stark beeinträchtigt. Aufgrund seiner hervorragenden Beständigkeit gegenüber Plasmakorrosion ist Siliziumkarbid die optimale Materialwahl für die Herstellung von Fokusringen. Durch die Verringerung der Möglichkeit korrosionsbedingter Komponentenschäden und die Minimierung der Notwendigkeit eines häufigen Austauschs und einer häufigen Wartung können Siliziumkarbid-Fokusringe die Effizienz der Halbleiterwaferherstellung erheblich steigern.