Bei der SiC-Beschichtung handelt es sich um eine dünne Schicht auf dem Suszeptor, die im CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) aufgebracht wird. Siliziumkarbid-Material bietet eine Reihe von Vorteilen gegenüber Silizium, darunter die 10-fache elektrische Durchbruchfeldstärke und die 3-fache Bandlücke, was dem Material eine hohe Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit, eine ausgezeichnete Verschleißfestigkeit sowie Wärmeleitfähigkeit verleiht.
Semicorex bietet maßgeschneiderten Service und hilft Ihnen bei der Innovation mit Komponenten, die länger halten, Zykluszeiten verkürzen und Erträge verbessern.
Die SiC-Beschichtung bietet mehrere einzigartige Vorteile
Hohe Temperaturbeständigkeit: Der CVD-SiC-beschichtete Suszeptor kann hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C standhalten, ohne dass es zu einer nennenswerten thermischen Beeinträchtigung kommt.
Chemikalienbeständigkeit: Die Siliziumkarbidbeschichtung bietet eine hervorragende Beständigkeit gegen eine Vielzahl von Chemikalien, darunter Säuren, Laugen und organische Lösungsmittel.
Verschleißfestigkeit: Die SiC-Beschichtung verleiht dem Material eine hervorragende Verschleißfestigkeit und eignet sich daher für Anwendungen mit hohem Verschleiß.
Wärmeleitfähigkeit: Die CVD-SiC-Beschichtung verleiht dem Material eine hohe Wärmeleitfähigkeit und eignet sich daher für den Einsatz in Hochtemperaturanwendungen, die eine effiziente Wärmeübertragung erfordern.
Hohe Festigkeit und Steifigkeit: Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor verleiht dem Material eine hohe Festigkeit und Steifigkeit und eignet sich daher für Anwendungen, die eine hohe mechanische Festigkeit erfordern.
SiC-Beschichtungen werden in verschiedenen Anwendungen eingesetzt
LED-Herstellung: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor wird aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und chemischen Beständigkeit bei der Herstellung verschiedener LED-Typen verwendet, einschließlich blauer und grüner LEDs, UV-LEDs und Deep-UV-LEDs.
Mobile Kommunikation: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor ist ein entscheidender Bestandteil des HEMT zur Vervollständigung des GaN-auf-SiC-Epitaxieprozesses.
Halbleiterverarbeitung: CVD-SiC-beschichtete Suszeptoren werden in der Halbleiterindustrie für verschiedene Anwendungen verwendet, einschließlich Waferverarbeitung und epitaktisches Wachstum.
SiC-beschichtete Graphitkomponenten
Die aus Siliziumkarbid-Beschichtungsgraphit (SiC) hergestellte Beschichtung wird durch ein CVD-Verfahren auf bestimmte Graphitqualitäten hoher Dichte aufgetragen, sodass sie im Hochtemperaturofen mit über 3000 °C in einer inerten Atmosphäre und 2200 °C im Vakuum betrieben werden kann .
Die besonderen Eigenschaften und die geringe Masse des Materials ermöglichen schnelle Aufheizraten, eine gleichmäßige Temperaturverteilung und eine hervorragende Präzision bei der Steuerung.
Materialdaten der Semicorex SiC-Beschichtung
Typische Eigenschaften |
Einheiten |
Werte |
Struktur |
|
FCC-β-Phase |
Orientierung |
Anteil (%) |
111 bevorzugt |
Schüttdichte |
g/cm³ |
3.21 |
Härte |
Vickershärte |
2500 |
Wärmekapazität |
J kg-1 K-1 |
640 |
Wärmeausdehnung 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Elastizitätsmodul |
Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃) |
430 |
Körnung |
μm |
2~10 |
Sublimationstemperatur |
℃ |
2700 |
Biegekraft |
MPa (RT 4-Punkt) |
415 |
Wärmeleitfähigkeit |
(W/mK) |
300 |
Fazit: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor ist ein Verbundmaterial, das die Eigenschaften eines Suszeptors und von Siliziumkarbid kombiniert. Dieses Material verfügt über einzigartige Eigenschaften, darunter hohe Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit, ausgezeichnete Verschleißfestigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit sowie hohe Festigkeit und Steifigkeit. Diese Eigenschaften machen es zu einem attraktiven Material für verschiedene Hochtemperaturanwendungen, darunter Halbleiterverarbeitung, chemische Verarbeitung, Wärmebehandlung, Solarzellenherstellung und LED-Herstellung.
Der mit Siliziumkarbid beschichtete Graphit von Semicorex Barrel Susceptor ist eine spezielle Komponente, die für den Einsatz im Epitaxieprozess, insbesondere zum Tragen von Wafern, entwickelt wurde. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr darüber zu erfahren, wie wir Sie bei der Verarbeitung von Halbleiterwafern unterstützen können.
WeiterlesenAnfrage absendenDer Semicorex MOCVD SiC-beschichtete Graphitsuszeptor ist eine fortschrittliche und spezialisierte Komponente, die im metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess verwendet wird, einer entscheidenden Technik bei der Herstellung von Halbleitern, optoelektronischen Geräten und anderen fortschrittlichen Materialien. Semicorex ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex Susceptor Semiconductor, ein revolutionärer Graphit-Suszeptor, der sorgfältig gefertigt wurde, um Ihre Halbleiterfertigung auf ein neues Niveau zu heben. Dieser Suszeptor wurde mit Präzision und Innovation entwickelt und verfügt über eine CVD-SiC-Beschichtung, die ihn in der Branche auszeichnet. Semicorex ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
WeiterlesenAnfrage absendenDie Suszeptorplatte von Semicorex ist eine entscheidende Komponente im epitaktischen Wachstumsprozess und wurde speziell für den Transport von Halbleiterwafern während der Abscheidung dünner Filme oder Schichten entwickelt. Semicorex ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex Susceptor with Grid ist eine spezielle Komponente, die im epitaktischen Wachstumsprozess von Halbleiterwafern verwendet wird. Semicorex ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
WeiterlesenAnfrage absendenSchöpfen Sie das volle Potenzial Ihrer Halbleiter-Epitaxieprozesse mit dem Semicorex Ring Set aus – einer entscheidenden Komponente aus SiC-beschichtetem Graphit. Dieses kleine, aber leistungsstarke Zubehör wurde entwickelt, um die Effizienz und Zuverlässigkeit Ihres Epitaxiewachstums zu steigern. Es spielt eine Schlüsselrolle bei der Gewährleistung optimaler Leistung in Halbleiterfertigungsumgebungen.
WeiterlesenAnfrage absenden