SiC-Duschkopf

Der SiC-Duschkopf von Semicorex ist eine wesentliche Komponente im epitaktischen Wachstumsprozess und wurde speziell entwickelt, um die Gleichmäßigkeit und Effizienz der Dünnschichtabscheidung auf Halbleiterwafern zu verbessern. Der SiC-Duschkopf wird aus massivem Siliziumkarbid (SiC) hergestellt. Dieser SiC-Duschkopf ist für seine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit, mechanische Festigkeit und chemische Beständigkeit bekannt und gewährleistet optimale Leistung in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen, die für Epitaxiereaktoren typisch sind.

Die Duschkopfform des SiC-Duschkopfs wurde sorgfältig entwickelt, um die gleichmäßige Verteilung der Vorläufergase über die Waferoberfläche zu ermöglichen. Seine Reihe von präzisionsgebohrten Löchern ermöglicht einen kontrollierten und gleichmäßigen Fluss, der für die Erzielung hochwertiger Epitaxieschichten mit gleichmäßiger Dicke und Zusammensetzung von entscheidender Bedeutung ist. Dieses Design minimiert Gasphasenreaktionen und Partikelerzeugung und trägt so zu überlegenen Waferausbeuten und Geräteleistungen bei.

Der SiC-Duschkopf eignet sich ideal für den Einsatz sowohl in der Forschung als auch in der Großserienproduktion und zeichnet sich durch seine Langlebigkeit und Zuverlässigkeit aus, wodurch Wartungsausfallzeiten und Betriebskosten erheblich reduziert werden. Seine Kompatibilität mit verschiedenen Epitaxieverfahren, einschließlich chemischer Gasphasenabscheidung (CVD), macht es zu einem vielseitigen und unschätzbaren Vorteil in der Halbleiterfertigungsindustrie.