Der Semicorex SiC-Heizfaden ist ein mit Siliziumkarbid beschichteter Graphitheizer, der für die Wafererwärmung in der modernen Halbleiterfertigung entwickelt wurde. Wenn Sie sich für Semicorex entscheiden, entscheiden Sie sich für einen vertrauenswürdigen Partner, der hochreine Materialien, präzise Anpassungen und langlebige Leistung für die anspruchsvollsten thermischen Prozesse liefert.*
Semicorex SiC-Heizfilament, ein Hochvakuum-Heizelement, das für die Waferverarbeitung in der neuen Halbleiterfertigung entwickelt wurde, ist ein innovatives Heizelement, das mit einem entwickelt wurdeSiliziumkarbidbeschichtungund hochreinSiliziumkarbidbeschichtung. Das spezielle Filament nutzt die Wärmeleitfähigkeit des Graphits und die Haltbarkeit und den Schutz von SiC, was zu einer langfristig stabilen und energieeffizienten Heizung führt. Der SiC-Heizfaden wurde entwickelt, um Wafer gleichmäßig zu erhitzen und die Spezifikation zu erreichen, was ihn zu einer hervorragenden Komponente für die Hochtemperatur-Halbleiterverarbeitung wie Epitaxie, Diffusion und Glühen macht.
Aufgrund der thermischen und hochwertigen elektrischen Eigenschaften des Graphits wird der SiC-Heizfaden aus hochreinem Graphit hergestellt. Graphit übernimmt die Hauptheizfunktion und ermöglicht eine schnelle Reaktion und effiziente Erwärmung unter elektrischer Last. Die dichte, hochreine SiC-Beschichtung schützt das Filament vor möglichen Kontaminationsquellen. Die SiC-Beschichtung schützt den Wafer vor chemischer Kontamination und Oxidation sowie vor Partikeln in der Kammer, verlängert die Nutzungsdauer des Filaments und schafft eine saubere Kammerumgebung.
Eine Schlüsselqualität des SiC-Heizfilaments ist die Fähigkeit, den Wafer gleichmäßig zu erwärmen. Temperaturschwankungen auf dem Wafer können zu Defekten oder Ertragseinbußen führen. Das SiC-Heizfilament verfügt über eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und die solide Konstruktion des Filaments gewährleistet eine stabile und gleichmäßigere Wärme, wodurch Temperaturgradienten begrenzt werden und eine absolute Prozesskontrolle gewährleistet wird.
Das SiC-Heizfilament ist anpassbar. Der elektrische Widerstandswert jedes Filaments kann an das Prozesswerkzeug und die Betriebsumgebung angepasst werden. Diese Anpassung ermöglicht es der Siliziumkarbid-Technologie, den Widerstandswert der Filamentgeometrie, die Beschichtungsdicke und die Materialeigenschaften zu steuern. Ein SiC-Heizfaden passt zu vielen verschiedenen Ofendesigns mit vielen unterschiedlichen Wafergrößen und Prozessrezepten. Dies ist besonders für Halbleiterhersteller von Vorteil, da aktuelle Prozesse effizienter ablaufen und die Kompatibilität mit bereits vorhandenen Systemen gewahrt bleibt. Das dritte Leistungsmerkmal ist die Haltbarkeit. Bei Hochtemperatur-Halbleiterprozessen ist das Heizelement sehr aggressiven chemischen Umgebungen und wiederholten Temperaturwechseln ausgesetzt.
Die Anwendungen des Semicorex SiC-Heizfilaments decken ein breites Spektrum an Prozessen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen ab. Während des epitaktischen Wachstums sorgt das Heizelement beispielsweise für eine stabile und gleichmäßige Substrattemperatur zur Abscheidung hochwertiger kristalliner Filme.