SiC-Fokusring

Der Semicorex SiC Focus Ring ist eine präzisionsgefertigte, ringförmige Komponente, die aus hochreinem Siliziumkarbid hergestellt wird. Der SiC-Fokusring ist für fortgeschrittene Halbleiterverarbeitungsanwendungen konzipiert. Hochreines Siliziumkarbid bietet eine hervorragende Leistung in Bezug auf thermische Stabilität (hoher Schmelzpunkt), mechanische Haltbarkeit (hohe Härte) und elektrische Leitungseigenschaften, was für die Einhaltung der Spezifikationen vieler Wafer-Herstellungstechnologien der nächsten Generation von entscheidender Bedeutung ist. SiC-Fokusringe sind Komponenten, die in Plasmaätz- und Abscheidungskammerkomponenten zu finden sind und eine wesentliche Rolle bei der Steuerung der Plasmaverteilung, der Wafergleichmäßigkeit und der Ausbeute in der Massenproduktion spielen.

Die Materialreinheit und die elektrische Leistung des SiC-Fokusrings gehören zu den wichtigsten Faktoren, die diese Komponente auszeichnen und sie von Keramikmaterialien unterscheiden. HochreinSiliziumkarbidunterscheidet sich von herkömmlichen Keramikmaterialien, da es eine Kombination von bietet 

Härte sowie Beständigkeit gegenüber vielen Chemikalien und einzigartige elektrische Eigenschaften. Noch wichtiger ist jedoch, dass hochreines Siliziumkarbid unter Verwendung von Dotierstoffen und Verarbeitungsmethoden so hergestellt werden kann, dass die am besten geeigneten Leitfähigkeits- oder Isolierleistungsniveaus mit der idealen Halbleiterbalance für die Wechselwirkung mit dem Plasma erzielt werden. Dies ermöglicht eine stabile Leistung in Umgebungen mit hoher Energie, in denen Ladungsaufbau und elektrische Ungleichgewichte mit größerer Wahrscheinlichkeit Prozessfehler verursachen.

Durch den Randeffekt des Plasmas ist die Dichte im Zentrum höher und an den Rändern geringer. Der Fokusring erzeugt durch seine Ringform und die Materialeigenschaften von CVD-SiC ein spezifisches elektrisches Feld. Dieses Feld leitet und begrenzt die geladenen Teilchen (Ionen und Elektronen) im Plasma zur Waferoberfläche, insbesondere zum Rand. Dadurch wird die Plasmadichte am Rand effektiv erhöht und nähert sich der Plasmadichte in der Mitte an. Dies verbessert die Ätzgleichmäßigkeit über den gesamten Wafer erheblich, reduziert Kantenschäden und erhöht die Ausbeute.

Mercury Manufacturing verarbeitet den SiC-Fokusring mithilfe anspruchsvoller Bearbeitungs- und Polierprozesse, die enge Maßtoleranzen und eine glatte Oberflächenbeschaffenheit erreichen. Die Maßgenauigkeit dieser Komponenten ermöglicht die Kompatibilität mit den verschiedenen Halbleiterausrüstungslieferanten, um die Austauschbarkeit zwischen vielen Plasmaätz- und -abscheidungssystemen sicherzustellen. Es können auch kundenspezifische Designs entwickelt werden, um spezifische Prozessanforderungen zu erfüllen, einschließlich Ringdicke, Innen- und Außendurchmesser und Grad der Oberflächenleitfähigkeit.

Die Anwendungen des SiC Focus Ring decken ein breites Spektrum in der Halbleiterfertigung ab: DRAM, NAND-Flash, Logikgeräte und neue Leistungshalbleitertechnologien. Da Gerätegeometrien schrumpfen und sich weiter durch Prozessknoten bewegen, wird der Bedarf an äußerst zuverlässigen, stabilen Kammerkomponenten wie dem SiC-Fokusring immer wichtiger. Der SiC-Fokusring ermöglicht eine exakte Kontrolle des Plasmas und verbessert kontinuierlich die Waferqualität, wodurch die Ambitionen der Industrie nach immer kleineren, schnelleren und effizienteren elektronischen Geräten vorangetrieben werden. Der Semicorex SiC Focus Ring definiert den Schnittpunkt von Materialwissenschaft, Präzisionstechnik und Halbleiterprozessentwicklung. Der SiC-Fokusring verfügt über eine hervorragende thermische Stabilität, eine hervorragende chemische Beständigkeit und eine nahezu spezifische elektrische Leitfähigkeit. Diese Eigenschaften machen es zu einer entscheidenden Komponente für die Gewährleistung von Zuverlässigkeit und Ertrag während der Prozesse.