SiC-Epitaxie

Semicorex bietet maßgeschneiderte Dünnschicht-SiC-Epitaxie (Siliziumkarbid) auf Substraten für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Geräten.

Die SiC-Epitaxie kann durch den Einbau von Dotierstoffen oder das Züchten unterschiedlicher Kristallorientierungen an spezifische Geräteanforderungen angepasst werden. Durch die Dotierung der Epitaxieschicht mit Verunreinigungen wie Stickstoff oder Aluminium können elektrische Eigenschaften verändert werden, beispielsweise die Ladungsträgerkonzentration gesteuert oder pn-Übergänge geschaffen werden.

Die Qualität der SiC-Epitaxieschicht wird durch verschiedene Charakterisierungstechniken beurteilt, darunter Röntgenbeugung, Rasterelektronenmikroskopie, Rasterkraftmikroskopie und elektrische Messungen. Diese Techniken helfen bei der Bewertung der Kristallstruktur, der Oberflächenmorphologie und der elektrischen Leistung der Epitaxieschicht.

Semicorex kann Folgendes anbieten: SiC-Epitaxiewafer, GaN-Epitaxiewafer, Si-Epitaxie, SiC-Wafer usw.