GaN-Epitaxie

Galliumnitrid-GaN-Epitaxie ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke und hervorragenden elektrischen und optischen Eigenschaften, was es zu einem vielversprechenden Kandidaten für verschiedene elektronische und optoelektronische Geräte macht.

Die GaN-Epitaxie hat die Entwicklung von GaN-basierten Geräten revolutioniert, darunter Hochleistungselektronik, Festkörperbeleuchtung (LEDs) und Hochfrequenzgeräte. Die Fähigkeit, hochwertige GaN-Epitaxieschichten mit präziser Kontrolle der Materialeigenschaften aufzubauen, hat die Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit von GaN-Geräten erheblich verbessert und zu Fortschritten in verschiedenen Branchen wie der Leistungselektronik, Telekommunikation und Unterhaltungselektronik beigetragen.