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GaN-Epitaxie

GaN-Epitaxie

Semicorex bietet kundenspezifische Dünnschicht-HEMT-GaN-Epitaxie (Galliumnitrid) auf Si/SiC/GaN-Substraten. Semicorex ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Galliumnitrid-GaN-Epitaxie ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke und hervorragenden elektrischen und optischen Eigenschaften, was es zu einem vielversprechenden Kandidaten für verschiedene elektronische und optoelektronische Geräte macht.

Die GaN-Epitaxie hat die Entwicklung von GaN-basierten Geräten revolutioniert, darunter Hochleistungselektronik, Festkörperbeleuchtung (LEDs) und Hochfrequenzgeräte. Die Fähigkeit, qualitativ hochwertige GaN-Epitaxieschichten mit präziser Kontrolle der Materialeigenschaften aufzubauen, hat die Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit von GaN-Geräten erheblich verbessert und zu Fortschritten in verschiedenen Branchen wie Leistungselektronik, Telekommunikation und Unterhaltungselektronik beigetragen.




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